炭化ケイ素コーティング

VeTek のこの AMAT 0200-03201 ウェーハ リフト ピンは、高純度グラファイトから始まり、その上に高密度 CVD SiC コーティングを追加します。 300mm エピタキシー システムおよびアプライド マテリアルズの EPI リアクター向けに作られています。なぜグラファイトとSiCなのか?グラファイトは熱をうまく処理します。 SiC 層は腐食性ガスを吸収し、すぐには磨耗しません。薄壁のデザイン？これは、ウェーハの持ち上げと位置決めをよりきれいに行い、粒子を減らし、高温下での部品寿命を長くするためです。また、ASM、Aixtron、LPE システム用に同様の SiC コーティングされたグラファイト部品も製造しています。お問い合わせをお待ちしております。

Vetek Semiconductor は、GaN LED、青緑色 LED、深紫外 LED 成長などの LED エピタキシー作業専用に構築された VEECO MOCVD システム用のウェーハ キャリアを製造しています。これらのキャリアは高純度グラファイトから始まり、緻密な CVD 炭化ケイ素 (SiC) コーティングが施されています。この組み合わせは、MOCVD で見られる高温下でも十分に耐えられ、優れた熱安定性、耐食性があり、コーティングが持続します。

ハーフムーンは、LPE SiC リアクター内で使用されるグラファイト コンポーネントで、主にチャンバーのホット ゾーンの周囲に設置されます。ウェハに直接接触するわけではありませんが、エピタキシャル成長中のガス流の安定性とリアクターの動作に役割を果たします。高温および反応性のプロセス条件に対処するために、コンポーネントは通常、CVD SiC コーティングで保護されますが、一部の用途では TaC コーティングも利用できます。 VETEK は、SiC エピタキシー システム用のグラファイト フェルト絶縁体やその他のコーティングされたグラファイト部品も供給しています。

8インチSiCエピトップリングは、半導体リアクトル用のハードウェア部品です。 Si/SiC エピタキシーおよび MOCVD/CVD システム内で動作します。このリングは庫内の熱を安定させます。ガスの流れも制御します。材質は高純度CVDシリコンカーバイドです。グラファイトのガス放出の問題がありません。製造時のパーティクル汚染も軽減します。お問い合わせをお待ちしております。

VETEK MOCVD SiC コーティング サセプターは、LED および化合物半導体エピタキシャル成長用に特別に開発された精密設計のキャリア ソリューションです。複雑な MOCVD 環境内で優れた熱均一性と化学的不活性性を実証します。 VETEK の厳格な CVD 成膜プロセスを活用することで、当社はウェーハ成長の一貫性を高め、コア コンポーネントの耐用年数を延長し、半導体製造のすべてのバッチに安定した信頼性の高いパフォーマンス保証を提供することに尽力しています。

Veteksemicon 固体炭化ケイ素 (SiC) 集束リングは、プラズマ分布、熱均一性、ウェーハ エッジ効果の正確な制御が不可欠な、高度な半導体エピタキシーおよびプラズマ エッチング プロセスで使用される重要な消耗部品です。高純度の固体炭化ケイ素から製造されたこの集束リングは、優れたプラズマ侵食耐性、高温安定性、化学的不活性性を示し、厳しいプロセス条件下でも信頼性の高い性能を実現します。お問い合わせをお待ちしております。