炭化ケイ素コーティング

ハーフムーンは、LPE SiC リアクター内で使用されるグラファイト コンポーネントで、主にチャンバーのホット ゾーンの周囲に設置されます。ウェハに直接接触するわけではありませんが、エピタキシャル成長中のガス流の安定性とリアクターの動作に役割を果たします。高温および反応性のプロセス条件に対処するために、コンポーネントは通常、CVD SiC コーティングで保護されますが、一部の用途では TaC コーティングも利用できます。 VETEK は、SiC エピタキシー システム用のグラファイト フェルト絶縁体やその他のコーティングされたグラファイト部品も供給しています。

8インチSiCエピトップリングは、半導体リアクトル用のハードウェア部品です。 Si/SiC エピタキシーおよび MOCVD/CVD システム内で動作します。このリングは庫内の熱を安定させます。ガスの流れも制御します。材質は高純度CVDシリコンカーバイドです。グラファイトのガス放出の問題がありません。製造時のパーティクル汚染も軽減します。お問い合わせをお待ちしております。

VETEK MOCVD SiC コーティング サセプターは、LED および化合物半導体エピタキシャル成長用に特別に開発された精密設計のキャリア ソリューションです。複雑な MOCVD 環境内で優れた熱均一性と化学的不活性性を実証します。 VETEK の厳格な CVD 成膜プロセスを活用することで、当社はウェーハ成長の一貫性を高め、コア コンポーネントの耐用年数を延長し、半導体製造のすべてのバッチに安定した信頼性の高いパフォーマンス保証を提供することに尽力しています。

Veteksemicon 固体炭化ケイ素 (SiC) 集束リングは、プラズマ分布、熱均一性、ウェーハ エッジ効果の正確な制御が不可欠な、高度な半導体エピタキシーおよびプラズマ エッチング プロセスで使用される重要な消耗部品です。高純度の固体炭化ケイ素から製造されたこの集束リングは、優れたプラズマ侵食耐性、高温安定性、化学的不活性性を示し、厳しいプロセス条件下でも信頼性の高い性能を実現します。お問い合わせをお待ちしております。

Veteksemicon SiC コーティング エピタキシャル リアクター チャンバーは、要求の厳しい半導体エピタキシャル成長プロセス向けに設計されたコア コンポーネントです。この製品は、高度な化学気相成長法 (CVD) を利用して、高強度グラファイト基材上に緻密で高純度の SiC コーティングを形成し、優れた高温安定性と耐食性を実現します。高温プロセス環境における反応ガスの腐食作用に効果的に抵抗し、粒子汚染を大幅に抑制し、一貫したエピタキシャル材料の品質と高収率を保証し、メンテナンスサイクルと反応チャンバーの寿命を大幅に延長します。これは、SiC や GaN などのワイドバンドギャップ半導体の製造効率と信頼性を向上させるための重要な選択肢です。

炭化ケイ素エピタキシャル成長の中核プロセスにおいて、Veteksemicon は、サセプタの性能がエピタキシャル層の品質と生産効率を直接決定することを理解しています。当社の高純度 EPI サセプタは、SiC 分野向けに特別に設計されており、特殊なグラファイト基板と高密度 CVD SiC コーティングを利用しています。優れた熱安定性、優れた耐食性、極めて低い粒子発生率により、過酷な高温プロセス環境でも比類のない厚さとドーピングの均一性をお客様に保証します。 Veteksemicon を選択するということは、高度な半導体製造プロセスの信頼性とパフォーマンスの基礎を選択することを意味します。