サンプルマッピング

お客様から提供された物理サンプル（たとえそれが磨耗または破損した中古部品であっても）に基づいて、当社は物理構造のリバースエンジニアリングから材料レベルの物理化学的特性評価に至るまで、幅広いサービスを提供します。半導体グレードの高精度検査装置を活用して、複雑な 3D 幾何学的構造、コーティング/基板界面特性、および材料の物理的パラメーターを正確に定量化し、リバースエンジニアリングされた製品が要件を満たすことを保証します。物理的なフィット感、プロセスの互換性、耐用年数 (形状-フィット-機能交換) において OEM 基準を上回っています。

測定対象 (技術的成果物):

寸法および幾何公差:高精度三次元測定機（CMM）と光学3Dスキャナを利用して、複雑なキャビティ構造や取り付け/位置決め穴のフルサイズの点群モデリングと再構築を実行し、ミクロンレベルの精度を実現します。
表面の微細形態と平坦性:白色光干渉計と光学式表面粗さ計を使用して、ナノメートルスケールの表面粗さ (Ra) と大面積の平坦度を評価し、ウェーハの取り扱いとチャンバーの密閉要件を満たします。
エッジマイクロ機能:エッジのR半径と面取りの微細プロファイルを高倍率でマッピングすることで、コーティングの登り形態を最適化し、高温剥離の原因となる鋭いコーナーでの応力集中を回避します。
グラファイト基板と熱整合解析:高純度グラファイト基板の密度、粒径、熱膨張係数 (CTE) を評価して、基板と CVD コーティング間の熱応力の整合性を確保します。
コーティングの断面と界面の接着品質:非破壊 XRF および金属組織断面 SEM 分析により、絶対厚さ、CVD コーティングの半径方向の均一性、および界面浸透深さを測定します。
相構造と微結晶分析:CVD SiC の立方晶相 (β-SiC) 純度の XRD 評価。 CVD TaC の化学量論および結晶構造特性の定性的評価。

実際のケースと顧客のメリット (経験):

12 インチ半導体エッチングコンポーネントの顧客:OEM供給は中止されました。磨耗した中古部品が 1 つだけ入手可能でした。 CMM リバースモデリング + SEM コーティング断面解析により、オリジナルの図面なしで 2 か月以内に代替部品の開発とオンツールテストを完了し、100% の取り付け適合性を達成しました。最終的に、部品調達サイクルは当初の輸入リードタイム6か月から2か月に短縮され、調達単価は42%低下し、30バッチ以上の安定供給が可能となりました。

SEM コーティング断面上の炭化ケイ素 (SiC) コーティング

よくある質問

1. Q: CVD SiC コーティングと CVD TaC コーティングのどちらを選択すればよいですか?

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答え:プロセス温度と気相腐食の強度を確認してください。プロセス温度が 1000 °C 未満で、主に Cl2/F2 ベースのエッチングまたは従来のエピタキシーが含まれる場合は、CVD SiC最高のコストパフォーマンスを実現します。プロセス温度が 1200 °C を超え、強い腐食性雰囲気が含まれる場合 (例: SiC PVT 単結晶成長)、CVD TaC優れた温度耐性と耐腐食性を備えています。お客様の特定のプロセスパラメータに基づいて、無料の選択推奨レポートを提供できます。

2. Q: 単品/小ロットのプロトタイピングをサポートしていますか?リードタイムはどれくらいですか?

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答え:はい！プロトタイプのリバースエンジニアリングの場合、MOQは1個です。従来の単純な部品の場合、サンプルの受け取りからマッピングされた部品の納品までの最速のリードタイムは約10～15営業日;複雑なコーティングプロセスを伴う部品の場合、およそ20～25営業日。迅速な評価については、当社のエンジニアにお問い合わせください。

3. Q: 使用中にグラファイト部品の CVD コーティングが剥離する原因は何ですか?解決できるでしょうか？

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答え:層間剥離のケースの 90% は、グラファイト基材とコーティングの熱膨張係数 (CTE) の不一致によって引き起こされ、急速加熱/冷却下での疲労剥離につながります。当社のソリューション: まず元の部品の CTE 曲線を正確に測定し、次に 2 つの CTE が高度に一致するように基板密度と蒸着温度勾配を特別に調整します。接着強度は以上に向上します1.5倍業界従来レベル。