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固体炭化ケイ素

VeTek Semiconductor 固体炭化ケイ素は、プラズマ エッチング装置の重要なセラミック部品である固体炭化ケイ素(CVD炭化ケイ素) エッチング装置の部品には次のものが含まれます。フォーカスリング固体炭化ケイ素(CVD炭化ケイ素)は塩素やフッ素を含むエッチングガスに対する反応性や導電性が低いため、プラズマエッチング装置のフォーカスリングなどに最適な材料です。コンポーネント。


例えば、フォーカスリングはウェハの外側に配置され、ウェハと直接接触する重要な部品です。リングに電圧を印加してリングを通過するプラズマを集中させ、プラズマをウェハ上に集中させ、均一性を向上させます。処理。従来のフォーカスリングはシリコンまたは石英一般的なフォーカスリングの材質として導電性シリコンは、シリコンウエハの導電性にほぼ近いが、フッ素を含むプラズマでのエッチング耐性が劣るという欠点があり、一時期よく使われていたエッチング機部品の材質では、深刻な問題が発生する腐食現象が発生し、生産効率が大幅に低下します。


SソリッドSiCフォーカスリング動作原理

Working Principle of Solid SiC Focus Ring


そしてベースフォーカスリングとCVD SiCフォーカスリングの比較:

そしてベースフォーカスリングとCVD SiCフォーカスリングの比較
アイテム そして CVD SiC
密度 (g/cm3) 2.33 3.21
バンドギャップ (eV) 1.12 2.3
熱伝導率(W/cm℃) 1.5 5
CTE (x10-6/℃) 2.6 4
弾性率(GPa) 150 440
硬度(GPa) 11.4 24.5
耐摩耗性と耐腐食性 貧しい 素晴らしい


VeTek Semiconductor は、半導体装置向けの SiC 集束リングなどの高度な固体炭化ケイ素 (CVD 炭化ケイ素) 部品を提供しています。当社の固体炭化ケイ素集束リングは、機械的強度、耐薬品性、熱伝導率、高温耐久性、イオンエッチング耐性の点で従来のシリコンよりも優れています。


当社の SiC フォーカスリングの主な特徴は次のとおりです。:

高密度によりエッチング速度が低下します。

バンドギャップが高く、絶縁性に優れています。

熱伝導率が高く、熱膨張率が低い。

機械的衝撃耐性と弾性に優れています。

硬度が高く、耐摩耗性、耐食性に優れています。

を使用して製造プラズマ化学蒸着 (PECVD)当社の SiC 集束リングは、半導体製造におけるエッチング プロセスの増大する需要に応えます。これらは、特に高いプラズマ出力とエネルギーに耐えるように設計されています。容量結合プラズマ (CCP)システム。

VeTek Semiconductor の SiC 集束リングは、半導体デバイス製造において優れた性能と信頼性を提供します。優れた品質と効率を実現するには、当社の SiC コンポーネントを選択してください。


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中国の専門家固体炭化ケイ素メーカーおよびサプライヤーとして、私たちは独自の工場を持っています。あなたの地域の特定のニーズを満たすためにカスタマイズされたサービスが必要であるか、中国製の高度で耐久性のある固体炭化ケイ素を購入したい場合でも、メッセージを残すことができます。
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