ソリッドSiCフォーカスリング

1. 製品の特長

● 純度 (GDMS 検証済み): > 99.99995% (最大 6N-7N) |チャンバーを微量金属のリスクから守ります。

● 構造的堅牢性: ≥3.21 g/cm3 |理論上の密度に達します。ガスの放出や微粒子の隠れる隙間を残しません。

●温度調節：200～300W/m・K |熱を急速に拡散させ、ウェーハ縁部の温度を完全に均一に保ちます。

● 電気的範囲: 0.01 - 10 Ωcm |適応可能な抵抗率により、プラズマ シースを安定させ、RF 接続を改善します。表面剛性: ≥2500 HV |連続的なドライエッチングサイクル中の摩耗に耐えます。

2. アプリケーションl 

●先進プロセスプラズマエッチング

●薄膜成膜プロセス（PECVD/ALD）

● 固体 SiC エッチング リングは、高度なチップ製造における重要な消耗品であり、プラズマ エッチングおよび堆積プロセスにおけるウェハ エッジ プロセスの均一性を確保し、歩留まりを向上させ、コンポーネントの寿命を延ばすために使用されます。

3. ファブの脆弱性の解決

● 問題: 部品の急速な浸食によるアイドル時間のコストの増加

修正: Vetek の CVD 成長構造は、浸食ペースが石英より 10 ～ 20 倍、バルク シリコンより 3 ～ 5 倍遅いことが示されています。工場では生産期間が長くなり、緊急チャンバーの通気口がはるかに少なくなります。

● 問題: エッジ イールド崩壊 (「エッジ効果」)

解決策: リング面全体のゆっくりとした予測可能な摩耗により、時間の経過とともにプラズマ シースが傾くのを防ぎます。これにより、ウェーハの周囲で厳密な臨界寸法 (CD) 制限が維持されます。

● 問題: 焼結部品の脱落による欠陥スパイク

解決策: 当社の気相合成では、粒界結合剤や金属フィラーは一切残りません。これらの弱点がなければ、リングが剥離したり、ウェーハ表面にマイクロマスキング欠陥が発生したりすることはありません。

4. カスタマイズされたエンジニアリングサポート

● ツールドロップイン統合: Lam、AMAT、TEL などの世界的なエッチャー ブランドの厳密な間隔仕様に適合するようにカスタム加工されています。

● 抵抗率のマッチング: お客様の特定のレシピパラメータと完全に一致するように、各バッチの電気的プロファイルを調整します。

● 高度な仕上げ: 超クリーンな化学機械平坦化 (CMP) を採用して粗い表面を滑らかにし、初期の工具シーズニング中の粒子数を減らします。

● 複雑なフォームファクター: 扱いにくい多段階のエッジ リングやインターロッキング リングのセットアップでは、厳しい公差 (±0.01 mm) を維持します。

Vetek 半導体倉庫: