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CVD 炭化ケイ素 (SiC) コーティングされたグラファイト シャワー ヘッド
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CVD 炭化ケイ素 (SiC) コーティングされたグラファイト シャワー ヘッド

堆積チャンバー内で不均一なガス流や粒子汚染に対処したことがある場合は、VETEK CVD SiC コーティング グラファイト シャワー ヘッドがそれを解決するように設計されています。熱安定性と容易な加​​工を実現する高純度静水圧グラファイトから始まり、表面を密閉し、腐食性ガス (HCl や NF₃ など) に耐性を持ち、ガスの発生を防ぐ高密度 CVD 炭化ケイ素 (SiC) コーティングが施されています。その結果、ウェーハ全体に均一な流れを供給し、高温エピタキシーに対応し、裸のグラファイトや石英よりもはるかに長持ちするガス分散プレートが誕生し、CVD、PECVD、MOCVD、シリコンエピタキシー、および SiC エピタキシープロセスで信頼できるコンポーネントとなっています。まったく同じリアクターは 2 つとないため、カスタムの穴パターンとサイズも提供しています。

主な特長

• 超高純度 – SiC コーティングがグラファイトを完全に密閉するため、ガスの放出や金属汚染がありません。

• 優れたガス分布 – 各シャワーヘッドは、ウェーハ全体に一貫したガス速度を供給するように機械加工されています。

• 優れた耐食性 – CVD SiC はハロゲンやプロセス残留物と反応しません。裸のグラファイトや石英よりもはるかに長持ちします。

• 優れた熱性能 – コーティングはグラファイトの熱膨張に厳密に一致しているため、急激な温度上昇時に亀裂が発生しません。

• 精密製造 - CNC 機械加工と社内の CVD コーティングを使用しています。穴の直径とパターンは厳しい公差に保たれます。


技術仕様



アプリケーション

これらのシャワー ヘッドは次の用途に使用されます。

• 半導体CVDシステム(生産および研究開発の両方)

• PECVD 装置 – 低温誘電体

• MOCVD リアクター – GaN、InP などの III‑V 化合物

• シリコンエピタキシー (Si Epi) – パワーデバイスおよび CMOS 用

• SiC エピタキシー – 高電圧パワーエレクトロニクス

• 化合物半導体工場

• 高度なパッケージング (TSV ライナーの蒸着など)

• 耐食性、高純度ガス分配器を必要とするあらゆる薄膜ツール



VETEK を選ぶ理由

• 当社は商社ではありません。グラファイト加工から最終的な CVD SiC コーティングまで、すべてが社内で行われます。つまり、品質、リードタイム、コストを管理します。

• 完全な社内製造 - 予期せぬ外部委託はありません

• 高度なコーティング技術 – 緻密でピンホールのない CVD SiC

• カスタムエンジニアリングサポート – シャワーヘッドの図面またはリアクターモデルのみをお送りください。

• 信頼性の高い半導体サプライチェーン – 当社は長年にわたり工場やOEMに供給してきました。

• 新しい設計を毎回再認定する必要はありません。当社はすでに多くの一般的なプラットフォーム (AMAT、TEL、LAM、ASM など) 用のシャワー ヘッドをコーティングしています。


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