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EPIのSICコーティンググラファイトバレル受容器
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EPIのSICコーティンググラファイトバレル受容器

バレルタイプのエピタキシャルウェーハ加熱ベースは、複雑な加工技術を備えた製品であり、機器と能力を加工するのに非常に困難です。 Vetek Semiconductorは、EPIのSICコーティングされたグラファイトバレル受容器の処理における高度な機器と豊富な経験を持っています。元の工場寿命と同じ、より費用対効果の高いエピタキシャルバレルを提供できます。

Vetek Semiconductorは、長年の経験を持つEPIのSICコーティンググラファイトバレル受容器を主に生産する中国のメーカーおよびサプライヤーです。あなたとのビジネス関係を築きたいと思っています。EPI (エピタキシー)高度な半導体の製造における重要なプロセスです。これには、基板上に材料の薄層が堆積して、複雑なデバイス構造が作成されます。 EPIのSICコーティンググラファイトバレル受容器は、優れた熱伝導率と高温に対する耐性のため、EPI反応器の受容器として一般的に使用されます。とCVD-SiCコーティング、汚染、侵食、熱衝撃に対する耐性が高まります。これにより、サセプタの寿命が長くなり、膜の品質が向上します。


当社の SiC コーティングされたグラファイトバレルサセプターの利点:


汚染の軽減:SICの不活性性は、不純物が容疑者の表面に付着することを防ぎ、堆積したフィルムの汚染のリスクを軽減します。

耐浸食性の向上: SiC は従来のグラファイトよりも耐侵食性が大幅に優れているため、サセプタの寿命が長くなります。

熱安定性の向上:SiCは熱伝導性に優れており、大きな歪みなく高温に耐えることができます。

強化されたフィルム品質:熱安定性の改善と汚染の減少により、均一性と厚さの制御が改善された高品質の堆積膜が生じます。


アプリケーション:

SiC コーティングされたグラファイトバレルサセプタは、以下を含むさまざまな EPI アプリケーションで広く使用されています。

✔GANベースのLED

✔ パワーエレクトロニクス

✔ 光電子デバイス

✔高周波トランジスタ

✔センサー

SiCコーティンググラファイトバレルサセプタの製品パラメータ

の物性アイソスタティックグラファイト
財産 ユニット 典型的な値
かさ密度 g/cm3 1.83
硬度 HSD 58
電気抵抗率 μΩ.m 10
曲げ強度 MPA 47
圧縮強度 MPA 103
抗張力 MPA 31
ヤング率 GPA 11.8
熱膨張(CTE) 10-6K-1 4.6
熱伝導率 W・m-1・K-1 130
平均穀物サイズ μm 8-10
気孔率 % 10
灰分含有量 ppm ≤10 (精製後)

        注:コーティングの前に、コーティング後、最初の精製を行い、2回目の精製を行います。

CVD SiCコーティングの基本物性

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性
財産 典型的な値
結晶構造 FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
SiCコーティングの密度 3.21 g/cm3
CVD SiCコーティング 硬度 ビッカース硬度2500(500g荷重)
粒径 2〜10mm
化学純度 99.99995%
熱容量 640J・kg-1・K-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415 MPA RT 4ポイント
ヤングモジュラス 430 GPA 4PTベンド、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1

それは半導体ですEPIのSICコーティンググラファイトバレル受容器生産店

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI products shops

ホットタグ: EPIのSICコーティンググラファイトバレル受容器
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