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LPE PE2061SのSICコーティングバレル受容器
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LPE PE2061SのSICコーティングバレル受容器

中国の主要なウェーハ容量容疑者製造工場の1つとして、Vetek半導体はウェーハ容疑者製品で継続的な進歩を遂げており、多くのエピタキシャルウェーハメーカーにとって最初の選択肢となっています。 VETEK半導体が提供するLPE PE2061SのSICコーティングバレル受容器は、LPE PE2061S 4 ''ウェーハ向けに設計されています。受容器には、LPE(液相エピタキシー)プロセス中の性能と耐久性が向上する耐久性のある炭化シリコンコーティングがあります。お問い合わせをお願いします。長期的なパートナーになることを楽しみにしています。


VeTek Semiconductor は、中国向けの専門的な SiC コーティング バレル サセプタです。LPE PE2061Sメーカーおよびサプライヤー。

LPE PE2061SのVetek半導体SICコーティングバレル受容器は、高度に精製された等方性グラファイトの表面に炭化シリコンの微細な層を適用することにより作成された高性能製品です。これは、Vetek Semiconductorの所有者によって達成されます化学蒸着(CVD)プロセス。

当社の LPE PE2061S 用 SiC コーティング バレル サセプタは、CVD エピタキシャル蒸着バレル リアクタの一種で、極限環境でも信頼性の高い性能を発揮するように設計されています。優れたコーティング密着性、高温酸化耐性、耐食性により、過酷な条件での使用に最適です。さらに、均一な熱プロファイルと層流ガス流パターンにより汚染が防止され、高品質のエピタキシャル成長が保証されます。

半導体の樽型の設計エピタキシャル反応器層状ガスの流れパターンを最適化し、均一な熱分布を確保します。これは、不純物の汚染または拡散を防ぐのに役立ちます、ウェーハ基板上で高品質のエピタキシャル成長を保証.

私たちは、高品質で費用対効果の高い製品をお客様に提供することに専念しています。私たちのCVD SICコーティングバレル受容器は、両方のために優れた密度を維持しながら、価格の競争力の利点を提供しますグラファイト基板そして炭化シリコンコーティング、高温および腐食性の作業環境で信頼できる保護を提供します。


CVD SICフィルムクリスタル構造のSEMデータ:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


SiCコーティングされた単結晶成長用バレルサセプタは、非常に高い表面平滑性を示します。

グラファイト基板ととの間の熱膨張係数の違いを最小限に抑える

炭化ケイ素コーティングにより、接着強度を効果的に向上させ、ひび割れや層間剥離を防ぎます。

グラファイト基板と炭化ケイ素コーティングはいずれも高い熱伝導率と優れた熱分散能力を備えています。

融点が高く、高温があります酸化抵抗、 そして耐食性.



CVD SiCコーティングの基本物性:

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性
財産 代表値
結晶構造 FCCβ相多結晶、主に(111)配向
密度 3.21 g/cm3
硬度 ビッカース硬度2500(500g荷重)
粒度 2~10μm
化学純度 99.99995%
熱容量 640J・kg-1・k-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415MPa RT 4点
ヤング率 430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・k-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1


VeTek Semiconductor LPE PE2061S 用 SiC コーティング バレル サセプタ 製造ショップ:

SiC Coated Barrel Susceptor for LPE PE2061S Production Shop


半導体チップエピタキシー産業チェーンの概要:

semiconductor chip epitaxy industry chain


ホットタグ: LPE PE2061S 用 SiC コーティングバレルサセプター
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