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LPE PE2061S用のSICコーティングトッププレート
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LPE PE2061S用のSICコーティングトッププレート

VeTek Semiconductor は長年にわたり SiC コーティング製品に深く携わっており、中国における LPE PE2061S 用の SiC コーティング トップ プレートの大手メーカーおよびサプライヤーとなっています。当社が提供する LPE PE2061S 用 SiC コーティング トップ プレートは、LPE シリコン エピタキシャル リアクター用に設計されており、バレル ベースとともに上部に配置されます。このLPE PE2061S用SiCコートトッププレートは、高純度、優れた熱安定性、均一性などの優れた特性を備えており、高品質なエピタキシャル層の成長に役立ちます。どのような製品でもお問い合わせをお待ちしております。

Vetek Semiconductorは、LPE PE2061Sメーカーおよびサプライヤー向けのプロの中国SICコーティングトッププレートです。

シリコンエピタキシャル装置の LPE PE2061S 用 VeTeK Semiconductor SiC コーティング トップ プレートは、エピタキシャル成長プロセス中にエピタキシャル ウェーハ (または基板) を支持および保持するためにバレル型ボディ サセプタと組み合わせて使用​​されます。

LPE PE2061S 用の SiC コーティングされたトップ プレートは、通常、高温で安定したグラファイト材料で作られています。 VeTek Semiconductor は、最適なグラファイト材料を選択する際に熱膨張係数などの要素を慎重に考慮し、炭化ケイ素コーティングとの強力な結合を確保します。

LPE PE2061S 用の SiC コーティング トップ プレートは、エピタキシー成長中の高温および腐食環境に耐える優れた熱安定性と耐薬品性を示します。これにより、長期的な安定性、信頼性、ウェーハの保護が保証されます。

シリコンエピタキシャル装置では、CVD SICコーティングされた反応器全体の主要な機能は、ウェーハをサポートし、エピタキシャル層の成長のために均一な基質表面を提供することです。さらに、ウェーハの位置と方向の調整が可能になり、成長プロセス中の温度と流体のダイナミクスの制御が促進され、望ましい成長条件とエピタキシャル層特性を達成します。

Vetek半導体の製品は、高精度と均一なコーティングの厚さを提供します。バッファ層を組み込むと、製品の寿命も延長されます。エピタキシャル成長プロセス中にエピタキシャルウェーハ(または基質)をサポートおよび保持するために、バレルタイプの身体受容器と組み合わせて使用​​されるシリコンエピタキシャル装置。


CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


CVD SICコーティングの基本的な物理的特性:

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性
財産 典型的な値
結晶構造 FCCβ相多結晶、主に(111)配向
密度 3.21 g/cm3
硬度 ビッカース硬度2500(500g荷重)
穀物サイズ 2〜10mm
化学純度 99.99995%
熱容量 640 J・kg-1・K-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415 MPA RT 4ポイント
ヤング率 430 GPA 4PTベンド、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1


ディーラー半導体

VeTek Semiconductor Production Shop


半導体チップエピタキシー産業チェーンの概要:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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