製品
AMAT 0200-03201 CVD SiC ウェーハ リフト ピン
  • AMAT 0200-03201 CVD SiC ウェーハ リフト ピンAMAT 0200-03201 CVD SiC ウェーハ リフト ピン

AMAT 0200-03201 CVD SiC ウェーハ リフト ピン

VeTek のこの AMAT 0200-03201 ウェーハ リフト ピンは、高純度グラファイトから始まり、その上に高密度 CVD SiC コーティングを追加します。 300mm エピタキシー システムおよびアプライド マテリアルズの EPI リアクター向けに作られています。なぜグラファイトとSiCなのか?グラファイトは熱をうまく処理します。 SiC 層は腐食性ガスを吸収し、すぐには磨耗しません。薄壁のデザイン?これは、ウェーハの持ち上げと位置決めをよりきれいに行い、粒子を減らし、高温下での部品寿命を長くするためです。また、ASM、Aixtron、LPE システム用に同様の SiC コーティングされたグラファイト部品も製造しています。お問い合わせをお待ちしております。

製品の特徴

 ● 高純度グラファイトコア + CVD SiC コーティング – 実際の半導体製造用に構築。

 ● サイクルごとに機械的安定性を失うことなく、高温エピタキシーの実行に対応します。

 ●薄肉形状により熱質量が削減され、ウェーハハンドリング精度が向上します。

 ● SiC 層は、強力なプロセスガスや化学洗浄に耐えます。

 ● 滑らかで均一なコーティングにより、粒子の脱落が少なく、より安定した加工が可能です。重要な半導体部品の CNC 加工により、厳しい公差を維持します。


CVD-SIC-FILM-CRYSTAL-STRUCTURE

CVD SiCコーティングの基本物性

CVD SiCコーティングの基本物性
財産
代表値
結晶構造
FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
CVD SiC コーティング密度
3.21 g/cm3
SiCコーティング硬度
ビッカース硬度2500(500g荷重)
粒径
2~10μm
化学純度
99.99995%
熱容量
640J・kg-1・K-1
昇華温度
2700℃
曲げ強度
415MPa RT 4点
ヤング率
430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率
300W・m-1・K-1
熱膨張(CTE)
4.5×10-6K-1


アプリケーション

 ● シリコン エピタキシー (Si EPI) – 300 mm リアクター内でウェーハを持ち上げ、位置決め、移動します。

 ●熱安定性、耐食性、低パーティクル、長寿命が必要な一般的な半導体ウエハ加工。

 ● AMAT エピタキシー チャンバーおよび互換性のあるウェーハ ハンドリング システム。


VeTek Semiconductor を選ぶ理由

 ●半導体用高純度SiCコートグラファイトです。

 ●熱安定性、耐薬品性ともに堅牢です。

 ● 公差を厳密に保つ - 精密機械加工が当社の仕事です。

 ●AMAT、ASM、Aixtron、LPEと互換性があります。

Vetek Semiconductor products shop

ホットタグ: AMAT 0200-03201 CVD SiC ウェーハ リフト ピン
お問い合わせを送信
連絡先情報
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
当社は Cookie を使用して、より良いブラウジング体験を提供し、サイトのトラフィックを分析し、コンテンツをパーソナライズします。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。プライバシーポリシー