炭化ケイ素コーティング

VeTek Semiconductor は超高純度の炭化ケイ素コーティング製品の製造を専門とし、これらのコーティングは精製グラファイト、セラミック、高融点金属コンポーネントに適用されるように設計されています。

当社の高純度コーティングは、主に半導体およびエレクトロニクス産業での使用をターゲットとしています。これらは、ウェーハキャリア、サセプタ、および加熱要素の保護層として機能し、MOCVD や EPI などのプロセスで遭遇する腐食性および反応性環境からそれらを保護します。これらのプロセスは、ウェーハ処理とデバイス製造に不可欠です。さらに、当社のコーティングは、高真空、反応性、酸素環境にさらされる真空炉やサンプル加熱での用途に適しています。

VeTek Semiconductor では、高度な機械工場の機能を備えた包括的なソリューションを提供します。これにより、グラファイト、セラミック、または高融点金属を使用して基本コンポーネントを製造し、社内で SiC または TaC セラミックコーティングを適用することが可能になります。また、お客様支給部品の塗装サービスも行っており、多様なニーズに柔軟に対応いたします。

当社の炭化ケイ素コーティング製品は、Siエピタキシー、SiCエピタキシー、MOCVDシステム、RTP/RTAプロセス、エッチングプロセス、ICP/PSSエッチングプロセス、青色LED、緑色LED、UV LED、深紫外などのさまざまなLEDタイプのプロセスで広く使用されています。 LPE、Aixtron、Veeco、Nuflare、TEL、ASM、Annialsys、TSIなどの機器に適合するLEDなど。

私たちができるリアクター部品:

炭化ケイ素コーティングにはいくつかのユニークな利点があります。

Silicon Carbide Coating several unique advantages

VeTek Semiconductor 炭化ケイ素コーティングのパラメータ

CVD SiCコーティングの基本物性
財産	代表値
結晶構造	FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
SiCコーティングの密度	3.21 g/cm3
SiCコーティング硬度	ビッカース硬度 2500（500g荷重）
粒径	2～10μm
化学純度	99.99995%
熱容量	640J・kg^-1・K^-1
昇華温度	2700℃
曲げ強度	415MPa RT 4点
ヤング率	430 Gpa 4pt曲げ、1300℃
熱伝導率	300W・m^-1・K^-1
熱膨張(CTE)	4.5×10-6K^-1

CVD SIC膜の結晶構造

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

炭化ケイ素でコーティングされたエピサセプタ SiCコーティングウェーハキャリア MOCVD用SiCコートサテライトカバー CVD SiC コーティングウェーハエピサセプタ CVD SiCコーティング発熱体 Aixtron サテライトウェーハキャリア SiCコーティングエピレシーバー SiCコーティング半月型グラファイトパーツ

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AIXTRON MOCVDサポート者

Vetek Semiconductor の Aixtron MOCVD サセプタは、半導体製造の薄膜堆積プロセス、特に MOCVD プロセスに使用されます。 Vetek Semiconductor は、高性能 Aixtron MOCVD サセプタ製品の製造と供給に重点を置いています。お問い合わせを歓迎します。

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炭化シリコンセラミックコーティンググラファイトヒーター

Vetek Semiconductorの炭化シリコンセラミックコーティンググラファイトヒーターは、グラファイト基板で作られ、その表面上のシリコンカーボンセラミック（SIC）コーティングでコーティングされた高性能ヒーターです。複合材料設計により、この製品は半導体製造において優れた加熱溶液を提供します。お問い合わせを歓迎します。

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