半月部品には多くの小さな部品があり、SICコーティングリングはその1つです。CVD SICコーティング高純度グラファイトリングの表面にCVD法によりCVD SiCコーティングリングを得ることができます。 SiCコーティングを施したSiCコーティングリングは、耐高温性、優れた機械的特性、化学的安定性、良好な熱伝導性、良好な電気絶縁性、優れた耐酸化性などの優れた特性を備えています。CVD SiCコーティングリングとSiCコーティング葬儀屋一緒に働きます。
SICコーティングリングと協力葬儀屋
● 流れ分布: SiC コーティング リングの幾何学的デザインは、均一なガス流域の形成に役立ち、反応ガスが基板の表面を均一に覆うことができ、均一なエピタキシャル成長を保証します。
● 熱交換と温度均一性:CVD SICコーティングリングは、優れた熱交換性能を提供し、それによりCVD SICコーティングリングと基質の均一な温度を維持します。これにより、温度変動によって引き起こされる結晶欠陥を回避できます。
● インターフェイスブロッキング: CVD SiC コーティングリングは反応物の拡散をある程度制限し、特定の領域で反応させ、高品質の SiC 結晶の成長を促進します。
● サポート機能:CVD SICコーティングリングは、下のディスクと組み合わせて、高温および反応環境での変形を防ぎ、反応チャンバーの全体的な安定性を維持するために安定した構造を形成します。
Vetek Semiconductorは、顧客に高品質のCVD SICコーティングリングを提供し、顧客が最も競争力のある価格でソリューションを完了するのを支援することに常に取り組んでいます。必要なCVD sicコーティングリングの種類に関係なく、Vetek半導体にお気軽にご相談ください!
CVD SICコーティングの基本的な物理的特性 財産 典型的な値 結晶構造 FCCβ相多結晶、主に(111)配向 密度 3.21 g/cm³ 硬度 2500ビッカーズの硬度(500g負荷) 穀物サイズ 2〜10mm 化学純度 99.99995% 熱容量 640 J・kg-1・k-1 昇華温度 2700℃ 曲げ強度 415MPa RT 4点 ヤング率 430 GPA 4PTベンド、1300℃ 熱伝導率 300W・m-1・k-1 熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1
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