金属有機化学蒸着(MOCVD)は、現在最もホットなエピタキシャル成長技術であり、半導体レーザーとLED、特にGanエピタキシーの製造に広く使用されています。エピタキシーとは、結晶基板上の別の単結晶膜の成長を指します。 エピタキシー技術は、新しく成長したクリスタルフィルムが基礎となるクリスタル基質と構造的に整合するようにすることができます。このテクノロジーは、高性能半導体デバイスの製造に不可欠な基板上に特定の特性を持つフィルムの成長を可能にします。
ウェーハバレルホルダーは、エピタキシャル成長炉の重要なコンポーネントです。 CVD SICコーティングウェーハホルダーは、さまざまなCVDエピタキシャル成長炉、特にMOCVDエピタキシャル成長炉で広く使用されています。
●運搬および加熱基板:CVD SICコーティングバレル受容器は、MOCVDプロセス中に基板を運ぶために使用され、必要な加熱を提供するために使用されます。 CVD SICコーティングウェーハバレルホルダーは、高純度のグラファイトとSICコーティングで構成されており、優れた性能を持っています。
●均一性:MOCVDプロセス中、グラファイトバレルホルダーは連続的に回転し、エピタキシャル層の均一な成長を達成します。 ●熱安定性と熱均一性:SICコーティングされたバレル受容器のSICコーティングは、優れた熱安定性と熱均一性を持ち、それによりエピタキシャル層の品質を保証します。 ●汚染を避けてください:CVD SICコーティングされたウェーハバレルホルダーには、操作中に汚染物質が落ちないように優れた安定性があります。
●均一性:MOCVDプロセス中、グラファイトバレルホルダーは連続的に回転し、エピタキシャル層の均一な成長を達成します。
●熱安定性と熱均一性:SICコーティングされたバレル受容器のSICコーティングは、優れた熱安定性と熱均一性を持ち、それによりエピタキシャル層の品質を保証します。
●汚染を避けてください:CVD SICコーティングされたウェーハバレルホルダーには、操作中に汚染物質が落ちないように優れた安定性があります。
●超長いサービスライフ:SICコーティングのため、CVD SICコーティングBArrel Sectrentorは、MOCVDの高温および腐食性ガス環境で依然として十分な耐久性を持っています。
バレルCVD反応器の概略図
●カスタマイズの最高度:グラファイト基板の材料組成、SICコーティングの材料組成と厚さ、およびウェーハホルダーの構造はすべて、顧客のニーズに応じてカスタマイズできます。 ●他のサプライヤーよりも先を行く:Vetek SemiconductorのSICコーティンググラファイトバレル容疑者は、顧客のニーズに応じてカスタマイズできます。内側の壁では、顧客のニーズに応えるために複雑なパターンを作成できます。
●カスタマイズの最高度:グラファイト基板の材料組成、SICコーティングの材料組成と厚さ、およびウェーハホルダーの構造はすべて、顧客のニーズに応じてカスタマイズできます。
●他のサプライヤーよりも先を行く:Vetek SemiconductorのSICコーティンググラファイトバレル容疑者は、顧客のニーズに応じてカスタマイズできます。内側の壁では、顧客のニーズに応えるために複雑なパターンを作成できます。
Vetek半導体は、設立以来、SICコーティング技術の継続的な調査に取り組んできました。今日、Vetek Semiconductorには、業界をリードするSICコーティング製品強度があります。 Vetek Semiconductorは、CVD SICコーティングウェーハバレルホルダー製品のパートナーになることを楽しみにしています。
CVD SICコーティングの基本的な物理的特性 財産 典型的な値 結晶構造 FCCβ相多結晶、主に(111)配向 密度 3.21 g/cm³ 硬度 2500ビッカーズの硬度(500g負荷) 穀物サイズ 2〜10mm 化学純度 99.99995% 熱容量 640 J・kg-1・k-1 昇華温度 2700℃ 曲げ強度 415 MPA RT 4ポイント ヤングモジュラス 430 GPA 4PTベンド、1300℃ 熱伝導率 300W・m-1・k-1 熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1
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