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SICコーティングカバーセグメント
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SICコーティングカバーセグメント

VTech Semiconductorは、AIXTRON反応器用のCVD SICコーティング部品の開発と商業化に取り組んでいます。例として、当社のSICコーティングカバーセグメントは、優れた腐食抵抗、化学的安定性、アプリケーションシナリオについて議論することを歓迎する密なCVD SICコーティングを生成するために慎重に処理されています。

私たちの工場からSICコーティングカバーセグメントを購入するために安心できます。 Micro LEDテクノロジーは、LCDまたは半導体産業でのみ見られていた方法とアプローチで、既存のLEDエコシステムを混乱させています。 AIXTRON G5 MOCVDシステムは、これらの厳しい拡張要件を完全にサポートしています。これは、主に設計された強力なMOCVDリアクターですシリコンベースのGanエピタキシーの成長.


AIXTRON G5主にCVD SIC惑星椎間板、MOCVD容認装置、SICコーティングカバーセグメント、SICコーティングカバーリング、SICコーティングカバーリング、SICコーティングサポートリング、SICコーティングサポートリング、SICコーティングカバーディスク、SICコーティング排気装置、ピンコーティングコージャー、ピンコーティングカバーリング、ピンコーティングカバーリング、SICコーティングカバーリング、SICコーティングカバーセグメント、SICコーティングカバーセグメント、SICコーティングカバーセグメント、SICコーティングカバーセグメント、SICコーティングカバーセグメント、SICコーティングカバーセグメントなどの水平惑星ディスクエピタキシーシステムです。


CVD SICコーティングメーカーとして、Vetek SemiconductorはAIXTRON G5 SICコーティングカバーセグメントを提供しています。これらの受容器は高純度グラファイトで作られており、CVD SICコーティング不純物は5ppm未満です。


CVD SICコーティングカバーセグメント製品は、優れた腐食抵抗、優れた熱伝導率、および高温安定性を示します。これらの製品は、化学腐食と酸化に効果的に抵抗し、過酷な環境で耐久性と安定性を確保します。優れた熱伝導率により、効率的な熱伝達が可能になり、熱管理効率が向上します。 


高温安定性と熱ショックに対する耐性により、CVD SICコーティングは極端な条件に耐えることができます。それらは、グラファイト基板の溶解と酸化を防ぎ、汚染を減らし、生産効率と製品の品質を改善します。平らで均一なコーティング表面は、格子の不一致とフィルムの結晶化度と品質の向上によって引き起こされる欠陥を最小限に抑えるためのフィルム成長の強固な基盤を提供します。要約すると、CVD SICコーティンググラファイト製品は、例外的な耐食性、熱伝導率、高温安定性を組み合わせた、さまざまな産業用途向けの信頼できる材料ソリューションを提供します。


CVD SICフィルムのSEMデータ

SEM DATA OF CVD SIC FILM

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性:

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性
財産 典型的な値
結晶構造 FCCβ相多結晶、主に(111)配向
SICコーティング密度 3.21 g/cm³
CVD SICコーティングの硬度 2500ビッカーズの硬度(500g負荷)
穀物サイズ 2〜10mm
化学純度 99.99995%
熱容量 640 J・kg-1・k-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415 MPA RT 4ポイント
ヤングモジュラス 430 GPA 4PTベンド、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・k-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6・K-1

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