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炭化物コーティングされた多孔質グラファイト
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炭化物コーティングされた多孔質グラファイト

炭化タンタルコーティングポーラスグラファイトは、半導体加工プロセス、特にSIC結晶成長プロセスにおいて不可欠な製品です。継続的な研究開発投資と技術アップグレードの結果、VeTek Semiconductor の TaC コーティング多孔質グラファイト製品の品質は、ヨーロッパとアメリカの顧客から高い評価を獲得しました。さらなるご相談を歓迎します。

VeTek 半導体タンタルカーバイドコーティング多孔質グラファイトは、超高温耐性 (融点約 3880°C)、優れた熱安定性、機械的強度、および高温環境における化学的不活性により、炭化ケイ素 (SiC) 結晶となっています。成長過程に欠かせない素材。特に、その多孔質構造は、多くの技術的利点を提供します。クリスタル成長プロセス。 


以下は、の詳細な分析です炭化タンタル被覆多孔質グラファイトコアロール:

● ガス流効率を向上させ、プロセスパラメータを正確に制御します

多孔質グラファイトの微孔構造は、反応ガス(炭化物ガスや窒素など)の均一な分布を促進し、それにより反応ゾーンの大気を最適化できます。この特性は、局所ガスの蓄積や乱流の問題を効果的に回避し、SIC結晶が成長プロセス全体で均等にストレスを与え、欠陥率が大幅に低下することを保証します。同時に、多孔質構造により、ガス圧力勾配の正確な調整が可能になり、結晶の成長速度をさらに最適化し、製品の一貫性が向上します。


●  熱応力の蓄積を減らし、結晶の完全性を改善します

高温操作では、多孔質の炭化多孔質炭化物(TAC)の弾性特性は、温度差によって引き起こされる熱応力濃度を大幅に軽減します。この能力は、SIC結晶を拡大し、熱亀裂の形成のリスクを減らし、結晶構造の完全性と処理安定性を改善する場合に特に重要です。


●  熱分布を最適化し、エネルギー利用効率を向上させます。

炭化物コーティングは、多孔質グラファイトがより高い熱伝導率を与えるだけでなく、その多孔質特性を均等に分散させることもでき、反応領域内で非常に一貫した温度分布を確保します。この均一な熱管理は、高純度SIC結晶を生成するための中核的な状態です。また、暖房効率を大幅に改善し、エネルギー消費を減らし、生産プロセスをより経済的かつ効率的にすることができます。


●  耐食性を強化し、コンポーネントの寿命を延ばします

高温環境(水素や炭化シリコン蒸気相など)のガスと副産物は、材料に重度の腐食を引き起こす可能性があります。 TACコーティングは、多孔質グラファイトに対する優れた化学バリアを提供し、成分の腐食速度を大幅に減らし、それによりサービス寿命を延長します。さらに、コーティングは多孔質構造の長期的な安定性を保証し、ガス輸送特性が影響を受けないようにします。


●  不純物の拡散を効果的にブロックし、結晶の純度を保証します

コーティングされていないグラファイトマトリックスは微量の不純物を放出する可能性があり、TaC コーティングは隔離バリアとして機能し、高温環境でこれらの不純物が SiC 結晶に拡散するのを防ぎます。このシールド効果は、結晶純度を向上させ、高品質の SiC 材料に対する半導体業界の厳しい要件を満たすのに不可欠です。


VETEK半導体の炭化物コーティングされた炭化物コーティングされた多孔質グラファイトは、ガスの流れを最適化し、熱ストレスを減らし、熱均一性を改善し、耐食性を高め、SIC結晶成長プロセス中の不純物拡散を阻害することにより、プロセス効率と結晶品質を大幅に改善します。この材料の適用は、生産における高精度と純度を保証するだけでなく、運用コストを大幅に削減し、現代の半導体製造において重要な柱となっています。

さらに重要なのは、VeTeksemi は半導体製造業界に高度な技術と製品ソリューションを提供することに長年取り組んできており、カスタマイズされた炭化タンタルコーティング多孔質グラファイト製品サービスをサポートしています。私たちは、お客様の中国における長期的なパートナーとなることを心から楽しみにしています。


炭化物コーティングの物理的特性

TaCコーティングの物性
TaCコーティング密度
14.3(g/cm³)
比放射率
0.3
熱膨張係数
6.3*10-6/k
TaCコーティング 硬度(HK)
2000 HK
炭化タンタルコーティング 抵抗
1×10-5オーム*cm
熱安定性
<2500℃
グラファイトのサイズ変更
-10~-20μm
膜厚
≥20um 代表値 (35um±10um)

Vetek半導体タンタル炭化物コーティングされた多孔質グラファイト生産ショップ

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