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TACコーティングスペアパーツ
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TACコーティングスペアパーツ

TACコーティングは現在、主に炭化シリコン単結晶成長(PVTメソッド)、エピタキシャルディスク(シリコン炭化物エピタキシー、LEDエピタキシーを含む)などのプロセスで使用されています。長期的なパートナーになることを楽しみにしています。

それは半導体ですTACコーティングプレートで広く使用されている特別な素材です半導体製造プロセス。高硬度と耐摩耗性、高温抵抗、耐性抵抗、低摩擦係数、良好な熱伝導性と組み合わされて、TACコーティングプレートは、半導体処理の多くのリンクでかけがえのない役割を果たします。


一般的に、のアプリケーションTACコーティングされたプレート半導体の処理は次のとおりです。


● CVD/ALD成長基質:高温抵抗、化学物質の安定性、およびTACコーティングされたプレートの低摩擦係数により、理想的なCVD/ALD成長基質が得られます。それは、映画の均一性と密度を確保するために安定した成長環境を提供することができます。

●  エッチングマスクプレート:TACコーティングされたプレートの高い硬度と腐食抵抗により、マスクプレートのエッチングなどのプラズマエッチングなどの高エネルギープロセスに耐えることができ、基礎となるフィルムを保護できます。

●  CMP研磨パッド:耐摩耗性とTACコーティングされたプレートの低摩擦係数により、CMP研磨パッドに理想的な材料があり、フィルム表面の粒子と欠陥を効果的に除去できます。

●  高温炉チューブ:TACコーティングされたプレートの高温抵抗と耐食性により、高温のアニーリング、拡散、その他のプロセスのために高温炉の炉チューブとして使用できます。


CVD TACコーティング技術パラメーター

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性
財産
典型的な値
結晶構造 FCCβ相多結晶、主に(111)配向
CVD SICコーティング密度
3.21 g/cm³
SICコーティングの硬度
2500ビッカーズの硬度(500g負荷)
穀物サイズ
2〜10mm
化学純度
99.99995%
熱容量
640 J・kg-1・k-1
昇華温度
2700℃
曲げ強度
415 MPA RT 4ポイント
ヤングモジュラス
430 GPA 4PTベンド、1300℃
熱伝導率
300W・m-1・k-1
熱膨張(CTE)
4.5×10-6K-1

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