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Veeco LED EP
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Veeco LED EP

Vetek半導体のVEECO LED EPI受容器は、赤と黄色のLEDのエピタキシャル成長のために設計されています。高度な材料とCVD SICコーティング技術により、受容器の熱安定性が保証され、成長中に温度フィールドが均一になり、結晶欠陥が減少し、エピタキシャルウェーハの品質と一貫性が向上します。 Veecoのエピタキシャル成長装置と互換性があり、生産ラインにシームレスに統合できます。正確な設計と信頼性の高いパフォーマンスは、効率を改善し、コストを削減するのに役立ちます。お問い合わせを楽しみにしています。

LEDは、電気エネルギーを可視光に変換できる固体半導体デバイスです。 P-n接合部に順方向電圧を適用することにより、電子と穴がp-n接合部で再結合されます。電子が高エネルギーレベルから低エネルギーレベルにジャンプすると、エネルギーが放出され、光子の形で放出され、それによって光が生成されます。異なる半導体材料は、異なる色の光を放出します。 LEDは高発光効率を持ち、ほとんどの電気エネルギーを光エネルギーに直接変換できます。それは通常、長いサービス生活を送っており、非常に環境に優しいです。


Working diagram of VEECO LED EPI Susceptor

アルミニウムガリウムインジウムリン化(アルゲイン)は、赤と黄色のLEDを作るための主な材料です。アルミニウム(AL)、ガリウム(GA)、インジウム(IN)、およびリン(P)の組成比を材料で調整することにより、材料のバンドギャップを変更し、それにより赤から黄色への光放出を達成できます。製造プロセスでは、エピタキシャルの成長が重要なステップです。アルゲインエピタキシーは通常採用します金属有機化学蒸気堆積(MOCVD)技術。赤色LEDのエピタキシャル層を成長させると、最終材料が赤色光を放出できるように、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、トリメチルインディウム、ホスフィンなどの原材料の比と反応条件が制御されます。


均一な分布と効果的な熱の制御は、赤と黄色のLEDのエピタキシャル成長プロセスで重要です。 Vetek SemiconductorのVEECO LED EPI受容器は優れた熱伝導率を持っています。これは、ウェーハ表面全体にわたる温度均一性の最小限の偏差を確保するために、迅速かつ均等に熱を伝導することができます。疫病の成長率と品質を大幅に改善します。


SGL GraphiteとAdvancedを使用しますCVD SICコーティングテクノロジー、Vetek SemiconductorのVEECO LED EPI受容器は優れた耐久性を持っています。これは、最大の程度まで、元の容疑者とは区別できません。長期的な高強度MOCVD生産プロセス中に常に安定性を維持します。 Vetek半導体のVEECO LED EPI受容器は、腐食と変形に対する強い耐性を示しています。これは、企業が頻繁に受容器を交換する必要がなく、生産機器のメンテナンスコストとダウンタイムを大幅に削減する必要がないことを意味します。


Vetek Semiconductorは、赤と黄色のLED製造プロセスにおけるさまざまな顧客の個々のニーズを完全に考慮します。 Vetek Semiconductorは、特定のサイズまたは特別なプロセスパラメーターのウェーハ生産のために、カスタマイズされたVEECO LED EPI受容器ソリューションを提供できます。


Vetek Semiconductorの専門的な技術チームは、顧客と詳細に通信し、特定のアプリケーションシナリオ、機器の構成、生産目標に従って最も適切な受容器製品を調整し、企業が技術的なブレークスルーと製品のアップグレードを達成するのに役立ちます。


CVD SICコーティングフィルムのSEMデータ:

SEM DATA OF CVD SIC COATING FILM


CVD SICコーティングの基本的な物理的特性:

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性
財産
典型的な値
結晶構造
FCCβ相多結晶、主に(111)配向
コーティング密度
3.21 g/cm³
SICコーティングの硬度 2500ビッカーズの硬度(500g負荷)
穀物サイズ
2〜10mm
化学純度
99.99995%
CVD SICコーティング熱容量
640 J・kg-1・k-1
昇華温度
2700
曲げ強度
415 MPA RT 4ポイント
ヤングモジュラス
430 GPA 4PTベンド、1300℃
熱伝導率
300W・m-1・k-1
熱膨張(CTE)
4.5×10-6K-1

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