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SICコーティングコレクターの底
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SICコーティングコレクターの底

CVD SICコーティング製造の専門知識により、Vetek Semiconductorは誇らしげにAixtron SICコーティングコレクターの底、中央、上部を示しています。これらのSICコーティングコレクターの底は、高純度グラファイトを使用して構築されており、CVD SICでコーティングされており、5ppm未満の不純物を確保しています。詳細情報と問い合わせについては、お気軽にお問い合わせください。

Vetek Semiconductorは、高品質の提供に取り組んでいるメーカーですCVD TACコーティングCVD SICコーティングコレクターの底をコーティングし、Aixtron機器と緊密に連携して、お客様のニーズを満たします。プロセスの最適化であろうと新製品開発であろうと、技術サポートを提供し、質問に答える準備ができています。

製品コア機能

プロセス安定性保証

温度勾配制御:±1.5℃/cm@1200℃


フローフィールドの最適化:特別なチャネル設計により、反応ガス分布の均一性が最大92.6%になります


機器保護メカニズム

二重保護:


熱衝撃バッファー:耐性10℃に耐えます。急速な温度変化


粒子傍受:トラッピング>0.3μm堆積物粒子


最先端のテクノロジーの分野で

アプリケーションの方向
特定のプロセスパラメーター
顧客価値
グレードIGBT
10^17/cm³ドーピング均一性  収量は8〜12%増加しました
5G RFデバイス
表面粗さ<0.15nm RA
キャリアモビリティは15%増加しました
PV HJT機器  3000サイクル> 3000サイクル
機器のメンテナンスサイクルは9000時間に延長されました

プロセス全体の品質制御

生産トレーサビリティシステム

原材料の供給源:日本からのトカイ/トーヨグラファイト、ドイツのSGLグラファイト

デジタルツインモニタリング:各コンポーネントは、独立したプロセスパラメーターデータベースに一致します


アプリケーションシナリオ:

第三世代の半導体製造

シナリオ:6インチSICエピタキシャル成長(厚さ100〜150μmのコントロール)

互換性のあるモデル:Aixtron G5 WW/Crius II




Aixtron SICコーティングコレクタートップ、コレクターセンター、SICコーティングコレクターを使用することにより、半導体製造プロセスにおける熱管理と化学的保護を実現し、フィルム成長環境を最適化し、フィルムの品質と一貫性を改善できます。 AIXTRON機器のこれらのコンポーネントの組み合わせにより、安定したプロセス条件と効率的な半導体生産が保証されます。




CVD SICフィルムのSEMデータ

SEM DATA OF CVD SIC FILM


CVD SICコーティングの基本的な物理的特性:

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性
財産 典型的な値
結晶構造 FCCβ相多結晶、主に(111)配向
密度 3.21 g/cm³
硬度 2500ビッカーズの硬度(500g負荷)
穀物サイズ 2〜10mm
化学純度 99.99995%
熱容量 640 J・kg-1・k-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415 MPA RT 4ポイント
ヤングモジュラス 430 GPA 4PTベンド、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・k-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1


半導体の概要 チップエピタキシー産業チェーン

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


それは半導体ですSICコーティングコレクターの底生産店

SiC Coated Wafer CarrierAixtron Collector equipmentCVD SiC Focus RingSemiconductor process Equipment



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