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8 インチ CVD 炭化ケイ素 (SiC) コーティングされたエピタキシー トップ リング

8 インチ CVD 炭化ケイ素 (SiC) コーティングされたエピタキシー トップ リング

8インチSiCエピトップリングは、半導体リアクトル用のハードウェア部品です。 Si/SiC エピタキシーおよび MOCVD/CVD システム内で動作します。このリングは庫内の熱を安定させます。ガスの流れも制御します。材質は高純度CVDシリコンカーバイドです。グラファイトのガス放出の問題がありません。製造時のパーティクル汚染も軽減します。お問い合わせをお待ちしております。
PAN系炭素繊維ソフトフェルト

PAN系炭素繊維ソフトフェルト

VETEK は、精密カーディングとエアジェット技術を組み合わせてカーボンファイバー ソフト フェルトを開発しました。素材全体にわたって非常に均一な繊維構造を保証できます。信じられないほど軽量でありながら、工業炉の高熱に耐えるように作られています。このような低い熱質量と柔軟な質感により、設置が簡単で炉の隅にぴったりとフィットし、あらゆるサイクルでのエネルギー効率の最大化に役立ちます。
7N高純度CVD SiC原料

7N高純度CVD SiC原料

初期原料の品質は、SiC 単結晶の製造におけるウェーハの歩留まりを制限する主な要因です。 VETEK の 7N 高純度 CVD SiC バルクは、物理蒸気輸送 (PVT) 用に特別に設計された、従来の粉末に代わる高密度多結晶の代替品です。バルク CVD フォームを利用することで、一般的な成長欠陥を排除し、炉のスループットを大幅に向上させます。お問い合わせをお待ちしております。
高純度CVD SiCコーティングウェーハボート

高純度CVD SiCコーティングウェーハボート

拡散、酸化、LPCVD などの高度な製造において、ウェーハ ボートは単なるホルダーではなく、熱環境の重要な部分です。 1000°C ~ 1400°C に達する温度では、標準的な材料は反りやガスの発生により破損することがよくあります。 VETEK の SiC-on-SiC ソリューション (高密度 CVD コーティングを施した高純度基板) は、特にこれらの高熱変動を安定させるように設計されています。
MOCVD用高純度不透明石英シールド&シャッター

MOCVD用高純度不透明石英シールド&シャッター

MOCVD の高温で化学反応性の高い環境、反応チャンバーの保護、およびプロセス制御の精度は最も重要です。 VETEK は、半導体装置内で「クリーンルーム」および「精密ゲート」として機能するように特別に設計された、高品質の不透明 (乳白色) クォーツ コンポーネントを提供します。これらのコンポーネントは、熱放射を管理し、汚染を防止するための、コスト効率が高く、かつ高性能のソリューションを提供します。
AMAT カバートップ クォーツ 8 インチ PCII

AMAT カバートップ クォーツ 8 インチ PCII

AMAT カバー トップ クォーツ 8 インチ PCII (0200-00218) は、アプライド マテリアルズ Endura PVD チャンバー用に設計された高純度石英コンポーネントで、優れた汚染制御、プラズマの安定性、耐用年数の延長を実現します。200mm 半導体プロセス用に設計されており、チャンバー トップ領域の重要な保護および絶縁要素として機能し、歩留まりとプロセスの一貫性の向上に役立ちます。Vetek Semiconductor は、信頼性の高い性能を備えた精密製造の OEM 互換石英部品を提供しています。グローバルな供給能力を備えておりますので、お問い合わせをお待ちしております。
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