CVD TaC コーティングサセプタ

製品の定義と構成

VETEK CVD TaC コーティング サセプタは、特に第 3 世代半導体 (SiC、GaN、AlN) エピタキシャル処理に使用されるハイエンド ウェハ キャリア コンポーネントです。この製品は、2 つの高性能素材の物理的利点を組み合わせています。

高純度グラファイト基板：静水圧プレス成形プロセスを利用して、基板が優れた構造強度、高密度、熱加工安定性を備えていることを保証します。

CVD TaC コーティング: 高度な化学蒸着 (CVD) 技術により、緻密で応力のない炭化タンタル (TaC) 保護層がグラファイト表面に成長します。

核となる技術的利点: 並外れた極限環境への適応性

MOCVD プロセスでは、TaC コーティングは物理的な保護層であるだけでなく、プロセスの再現性を確保するための中核でもあります。

極度の高温に対する耐性：TaCは融点が3880℃と高く、1600℃以上の超高温エピタキシャルプロセスにおいても優れた形状安定性を維持します。

優れた耐食性: NH3 (アンモニア) または H2 (水素) を含む強い還元環境において、TaC の腐食速度は非常に低く、基板の損失と不純物の析出を効果的に防ぎます。

超高純度保証: コーティング純度は99.9995%と高いです。その緻密な構造によりグラファイトの微細孔が完全に密閉され、エピタキシャル膜が極めて低い不純物レベルに達することが保証されます。

正確な熱場分布: VETEK の最適化されたコーティング制御技術により、サセプタ表面の温度差が ±2°C 以内に制御され、ウェハエピタキシャル層の厚さと波長の一貫性が大幅に向上します。

技術的パラメータ

微細断面の炭化タンタル (TaC) コーティング:

主要な応用分野

SiC（炭化ケイ素）エピタキシャル成長：6インチ、8インチ以上のSiCパワーデバイスの生産に対応します。

GaN (窒化ガリウム) ベースのデバイス: 高輝度 LED、HEMT パワーデバイス、RF チップの MOCVD プロセスで使用されます。

AlN (窒化アルミニウム) と UVC の成長: 深紫外 LED などの超ワイドバンドギャップ材料に超高温 (1400°C+) キャリア ソリューションを提供します。

カスタマイズされた研究サポート：各種異形部品や多穴ディスクなど、研究機関の精密カスタマイズニーズに対応します。

対応機種とカスタマイズサービス

VETEK は正確な機械加工およびコーティング能力を備えており、世界的に主流の MOCVD 装置に完全に適応します。

アイクストロン: さまざまな遊星回転ディスクとベースをサポートします。

ヴィーコ：K465i、Propel、その他の垂直サセプタシリーズをサポートします。