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MEMS (Micro-Electromechanical Systems) が急速に進化する時代においては、適切な圧電材料を選択することがデバイスの性能の勝敗を左右します。 PZT (チタン酸ジルコン酸鉛) 薄膜ウェハは、AlN (窒化アルミニウム) などの代替品よりも優れた選択肢として浮上しており、最先端のセンサーやアクチュエーターに優れた電気機械結合を提供します。
Vetek Semiconductor は、業界をリードする PZT-on-Si/SOI ウェーハを提供しています。高度な薄膜堆積を活用することで、当社は膜の疲労や性能低下などの一般的な業界のハードルを克服するために特別に設計された、優れた膜の均一性と結晶品質を実現します。
コア アーキテクチャ: Pt と PZT の相乗効果
多層スタックの完全性は、強誘電体の性能の基礎です。当社のウェーハは、精密に設計された金属電極とセラミック薄膜のスタックを利用しています。

対象アプリケーション: PZT はどこに使用されますか?
高性能 PZT ウェーハは、正確な機械から電気へのセンシングや電気から機械への作動を必要とするアプリケーションに不可欠です。
Vetek Semiconductorを選ぶ理由?
著者:セラ・リー
学術的な参考文献:
[1] ムラルト、P. (2000)。 「マイクロセンサーおよびアクチュエーター用の PZT 薄膜: 問題と進歩」マイクロメカニクスとマイクロエンジニアリングのジャーナル。
[2] Trolier-McKinstry, S. ら。 (2018年)。 「MEMS用圧電薄膜」材料研究の年次レビュー。
[3] Akbari, M., et al. (2016年)。 「医用画像処理用の圧電微細加工超音波トランスデューサー (pMUT)」。圧電MEMS共振器において。


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