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SICコーティングコレクタートップ
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SICコーティングコレクタートップ

CVD SICコーティングの信頼できるメーカーであるVetek Semiconductorへようこそ。高純度グラファイトを使用して巧みに設計されており、5ppm未満の不純物を伴う最先端のCVD sicコーティングを備えたAixtron sicコーティングコレクタートップを提供することに誇りを持っています。質問やお問い合わせがあればお気軽にお問い合わせください

生産の長年の経験がありますTACコーティングそしてSICコーティング、vetek半導体は、幅広いSICコーティングコレクタートップを供給できます。コレクターセンター, コレクターの底AIXTRONシステム用。高品質のSICコーティングコレクタートップは多くのアプリケーションを満たすことができます。必要に応じて、SICコーティングコレクターのトップに関するオンラインタイムリーなサービスをご覧ください。以下の製品リストに加えて、特定のニーズに応じて独自のSICコーティングコレクタートップをカスタマイズすることもできます。


SICコーティングコレクタートップ、SICコーティングコレクターセンター、およびSICコーティングコレクターの底は、半導体製造プロセスで使用される3つの基本コンポーネントです。各製品について個別に話し合いましょう。


Vetek半導体SICコーティングコレクタートップは、半導体堆積プロセスにおいて重要な役割を果たします。堆積物のサポート構造として機能し、堆積中に均一性と安定性を維持するのに役立ちます。また、熱管理にも役立ち、プロセス中に発生した熱を効果的に消散させます。コレクターの上部は、堆積物の正しい配置と分布を保証し、高品質で一貫したフィルムの成長をもたらします。


コレクタートップ、コレクターセンター、コレクターボトムのSICコーティングは、パフォーマンスと耐久性を大幅に向上させます。SIC(炭化シリコン)コーティング優れた熱伝導率、化学的不活性、耐食性で知られています。コレクターの上部、中央、下部のSICコーティングは、優れた熱管理機能を提供し、効率的な熱散逸を確保し、最適なプロセス温度を維持します。また、優れた化学耐性を持ち、腐食性の環境から成分を保護し、サービス寿命を延ばします。 SICコーティングの特性は、半導体製造プロセスの安定性を改善し、欠陥を軽減し、フィルムの品質を向上させるのに役立ちます。


CVD SICコーティングの基本的な物理的特性:

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性
財産 典型的な値
結晶構造 FCCβ相多結晶、主に(111)配向
CVD SICコーティング密度 3.21 g/cm³
SICコーティングの硬度 2500ビッカーズの硬度(500g負荷)
穀物サイズ 2〜10mm
化学純度 99.99995%
熱容量 640 J・kg-1・k-1
昇華温度 2700℃
曲げ強度 415 MPA RT 4ポイント
ヤングモジュラス 430 GPA 4PTベンド、1300℃
熱伝導率 300W・m-1・k-1
熱膨張(CTE) 4.5×10-6K-1


CVD SICフィルムのSEMデータ

SEM DATA OF CVD SIC FILM

それは半導体ですSICコーティングコレクタートップ生産店

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