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LPE SiC EPI ハーフムーン
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LPE SiC EPI ハーフムーン

LPE SiC Epi Halfmoon は、水平エピタキシー炉用に特別に設計されたもので、LPE リアクター SiC エピタキシー プロセスを向上させるために設計された革新的な製品です。この最先端のソリューションは、製造業務全体を通じて優れたパフォーマンスと効率を保証するいくつかの重要な機能を備えています。Vetek Semiconductor は、6 インチ、8 インチの LPE SiC Epi ハーフムーン製造の専門家です。お客様との長期的な協力関係を確立することを楽しみにしています。

プロのLPE SIC EPI Halfmoonメーカーおよびサプライヤーとして、Vetek Semiconductorは高品質のLPE SIC EPI Halfmoonを提供したいと考えています。


LPE sic sepi halfmoon by vetek semiconductor、LPEリアクターSICエピタキシープロセスを高めるように設計された革新的な製品。この最先端のソリューションは、製造業務全体で優れたパフォーマンスと効率を保証するいくつかの重要な機能を備えています。


LPE SIC EPI Halfmoonは、例外的な精度と精度を提供し、均一な成長と高品質のエピタキシャル層を保証します。その革新的な設計と高度な製造技術は、最適なウェーハサポートと熱管理を提供し、一貫した結果を提供し、欠陥を最小限に抑えます。 さらに、LPE SiC Epi Halfmoon は高級タンタルカーバイド (TaC) 層でコーティングされており、その性能と耐久性が向上しています。この TaC コーティングは、熱伝導性、耐薬品性、耐摩耗性を大幅に向上させ、製品を保護し、その寿命を延ばします。


LPE SIC EPIハーフムーンでのTACコーティングの統合は、プロセスフローに大幅な改善をもたらします。熱管理を強化し、効率的な熱散逸を確保し、安定した成長温度を維持します。この改善により、プロセスの安定性が向上し、熱応力が低下し、全体の収量が改善されます。 さらに、TACコーティングは材料の汚染を最小限に抑え、よりクリーナーなどを可能にします 制御されたエピタキシープロセス。望ましくない反応や不純物に対するバリアとして機能し、その結果、エピタキシャル層の純度が高まり、デバイスの性能が向上します。


Vetek SemiconductorのLPE SIC EPI Halfmoonを選択して、比類のないエピタキシープロセスを選択してください。高度な設計、精度、および変換力の利点を体験してくださいTaCコーティング製造業務の最適化に。 VeTek Semiconductor の業界をリードするソリューションを使用して、パフォーマンスを向上させ、優れた結果を達成します。


LPE SiC Epi Halfmoonの製品パラメータ

TaCコーティングの物性
コーティング密度 14.3 (g/cm3)
比放射率 0.3
熱膨張係数 6.3*10-6/k
TACコーティングの硬度(hk) 2000 香港
抵抗 1×10-5オーム*cm
熱安定性 <2500℃
グラファイトのサイズ変更 -10〜-20um
コーティングの厚さ ≥20um典型的な値(35um±10um)


VeTek Semiconductor LPE SiC EPI ハーフムーン生産工場

VeTek Semiconductor LPE SiC EPI Halfmoon Production Shop


半導体チップのエピタキシー産業チェーンの概要:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


ホットタグ: lpe sic epi halfmoon
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