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グラファイトディスク受信
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グラファイトディスク受信

Vetek Semiconductor は、最先端のグラファイト ディスク サセプタを提供します。 SiC コーティングは、優れた熱安定性、優れた耐薬品性、強化されたプロセス均一性を提供し、最適なパフォーマンスと信頼性を保証します。 Vetek Semiconductor の SiC コーティングされたディスク サセプタで、次のレベルの効率と精度を体験してください。

Vetek Semiconductor のグラファイト ディスク サセプタは、高度な半導体製造プロセス向けの高性能製品です。当社のグラファイト ディスク サセプタは、業界の厳しい要件を満たすように設計されており、優れたパフォーマンスと信頼性を提供します。 このグラファイトディスク受容器は、AIX G5 Planetary ReactorプラットフォームのOEMです。


Gan-on-Si MocvdはLEDエピタキシャル産生に使用され、Aixtron G5リアクターはMOCVDプラットフォームの収量と均一性を改善します。標準的な厚さシリコン基板を使用し、ウェーハの曲げ挙動を制御する5つの200mmウェーハの完全に回転した対称均一パターンは、シリコン製造に必要なものを形式化しました。


高度な半導体製造プロセスのための信頼性が高く費用対効果の高いソリューションであるGan-on-Si MocvdのVetek半導体の高度グラファイトディスク受容器。


当社の高純度グラファイト ディスク サセプタは、GaN-on-Si MOCVD プロセスの要件を満たすように特別に設計されています。優れた熱安定性と耐熱性により、通常 800°C ~ 1100°C の範囲の厳しい温度条件に耐えることができ、蒸着プロセス中の最適なパフォーマンスを保証します。


当社のディスクサセプタに使用されている高純度グラファイト材料は優れた耐薬品性を備えており、GaN-on-Si MOCVD で一般的に使用されるアンモニア (NH3) および有機金属前駆体と互換性があります。これにより、追加の必要がなくなりますSiCコーティングパフォーマンスを損なうことなく生産コストを削減します。


Vetek Semiconductor の高純度グラファイト ディスク サセプタは、品質に妥協することなく、コスト効率の高いソリューションを提供します。その信頼性、耐久性、GaN-on-Si MOCVD プロセスとの互換性により、半導体メーカーにとって好ましい選択肢となっています。 GaN-on-Si MOCVD 製造ニーズに応える高性能グラファイト ディスク サセプタを提供する Vetek Semiconductor を信頼してください。


Vetek Semiconductor の高純度グラファイト ディスク サセプタ製造ショップ:

SiC Graphite substrategraphite disc susceptor testSilicon carbide ceramic processGaN-on-Si MOCVD process

半導体チップエピタキシー産業チェーンの概要:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


ホットタグ: グラファイトディスクレシーバー
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