CVD TACコーティング3ペタルガイドリング

炭化シリコン単結晶基質材料は、一種の結晶材料であり、広いバンドギャップ半導体材料に属します。高電圧抵抗、高温抵抗、高頻度、低損失などの利点があります。これは、高出力電子電子デバイスとマイクロ波無線周波数デバイスの調製のための基本材料です。現在、SIC結晶を成長させる主な方法は、物理蒸気輸送（PVT法）、高温化学蒸気堆積（HTCVD法）、液相法などです。

物理蒸気輸送（PVT）法は、大規模な工業生産に非常に適した、よく確立された技術です。このプロセスでは、SICシードクリスタルはるつぼの上部に配置され、原材料として機能するSICパウダーはるつぼ底に配置されます。閉じた環境内の高温と低圧の条件下では、SIC粉末は昇華します。温度勾配と濃度の違いによって駆動されると、昇華種は種子結晶の近くの領域に向かって上方に移動します。過飽和状態に到達すると、再結晶が発生し、成長したSIC結晶のサイズと特定の結晶タイプを正確に制御できます。

CVD TAC Coated Three -Petal Guide Ringは、複数の重要な機能を提供します。主に、ガスの流れを導き、結晶成長領域が均一な雰囲気にさらされるようにすることにより、流体力学を強化します。さらに、SIC結晶成長プロセス中に効果的に熱を放散します。適切な温度勾配を維持することにより、SIC結晶の成長条件を最適化し、不均一な温度分布によって引き起こされる結晶欠陥のリスクを軽減します。