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ウェーハキャリア用 CVD SiC コーティンググラファイトサセプタ
  • ウェーハキャリア用 CVD SiC コーティンググラファイトサセプタウェーハキャリア用 CVD SiC コーティンググラファイトサセプタ

ウェーハキャリア用 CVD SiC コーティンググラファイトサセプタ

VETEK CVD SiC コーティングされたウェハキャリア用グラファイトサセプタは、半導体エピタキシープロセス用に設計された高性能ウェハサポートコンポーネントです。この製品は、基材として高純度グラファイトを使用し、均一な CVD 炭化ケイ素 (SiC) 層でコーティングされているため、優れた熱安定性、耐薬品性、粒子制御を実現します。グラファイトサセプタの重要なコンポーネントとして、反応チャンバー内でウェーハを直接サポートし、均一な温度分布と安定したエピタキシャル成長条件の維持に役立ちます。

1. 製品の利点


  • 高純度の素材:半導体グレードのグラファイト材料と緻密な SiC コーティング構造により、汚染のリスクが最小限に抑えられ、CVD SiC コーティングされたグラファイト サセプタの信頼性が向上します。
  • 優れた熱均一性:最適化されたグラファイト構造と SiC コーティングにより、安定した熱伝達と均一なウェハ温度制御が実現します。
  • 優れた耐薬品性:緻密な SiC コーティングは、プロセスガスや腐食環境に対して強力な耐性を備えています。
  • 長寿命:高い硬度と耐摩耗性により、高温エピタキシー条件下での耐久性が向上します。
  • 低粒子発生:緻密な CVD SiC 表面により粒子の放出が減少し、ウェーハプロセスの信頼性が向上します。
  • カスタマイズされた設計機能:機器の要件に応じて、さまざまなサイズ、構造、構成をご用意しています。



2. 技術仕様

アイテム
代表値
基板材料
高純度グラファイト
コーティング材
CVD炭化ケイ素(SiC)
SiC純度
≥99.999%
コーティングの厚さ
100±20μm(カスタマイズ可能)
コーティング厚さの均一性
バッチ間10μm以内に管理
CVD SiC コーティングの密度
3.21 g/cm3
熱伝導率
300W/m・K
熱膨張係数
4.5×10⁻⁶/K

3. アプリケーション


  • SiCエピタキシープロセス:グラファイトサセプタは、SiC エピタキシャル成長装置のウェーハキャリアとして使用され、高温エピタキシャル成長中に SiC 基板をサポートします。
  • シリコンエピタキシープロセス:ウェーハをサポートし、安定した熱状態を維持するためにシリコン エピタキシャル リアクターに適用されます。
  • MOCVDエピタキシー:VETEK グラファイト サセプタは、MOCVD、LED エピタキシー、GaN エピタキシー、シリコン エピタキシー、および優れた熱均一性と化学的安定性を必要とするその他の半導体製造プロセスに適しています。
  • 半導体製造装置:LPE 横型炉、Aixtron、NuFlare、関連半導体装置など、さまざまなエピタキシー プラットフォームと互換性があります。



4. VETEK を選ぶ理由?

VETEK は、グラファイト精製、精密機械加工、CVD コーティング、および検査機能を統合した、カスタマイズされた CVD SiC コーティングされたグラファイト サセプタ ソリューションを提供します。当社の半導体グレードのグラファイトサセプタ製品は、高純度、均一なコーティング厚さ、優れた熱性能、および要求の厳しいウェーハキャリア用途向けの長寿命を特徴としています。

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