超硬タンタルコーティングガイドリング

第3世代の半導体炭化シリコン（SIC）結晶の成長には、高温（2000-2200°C）が必要であり、Si、C、SIC蒸気成分を含む複雑な大気を持つ小さなチャンバーで発生します。高温でのグラファイト揮発性物質と微粒子は、結晶の質に影響を及ぼし、炭素包有物のような欠陥につながる可能性があります。 SICコーティングを備えたグラファイトのるつぼはエピタキシャル成長で一般的ですが、約1600°Cでの炭化シリコンホモエピタキシーの場合、SICは相転移を受ける可能性があり、グラファイト上の保護特性を失います。これらの問題を緩和するために、炭化物のタンタルムコーティングが効果的です。高融点（3880°C）を備えた炭化物は、3000°Cを超える良好な機械的特性を維持する唯一の材料であり、優れた高温化学耐性、浸食酸化耐性、優れた高温機械的特性を提供します。

SiC結晶成長プロセスにおいて、SiC単結晶の主な作製方法はPVT法です。低圧高温条件下では、より大きな粒径（>200μm）の炭化ケイ素粉末が分解してさまざまな気相物質に昇華し、温度勾配の駆動下でより低い温度の種結晶に輸送され、反応して堆積します。再結晶化して炭化ケイ素単結晶になります。このプロセスでは、炭化タンタルでコーティングされたガイド リングが、ソース領域と成長領域の間のガスの流れを安定かつ均一にする重要な役割を果たします。これにより、結晶成長の品質が向上し、不均一な空気流の影響が軽減されます。

PVTメソッドSIC単結晶成長における炭化物コーティングガイドリングの役割

●エアフローのガイダンスと配布

TaC コーティング ガイド リングの主な機能は、ソース ガスの流れを制御し、ガスの流れが成長領域全体に均一に分散されるようにすることです。気流の経路を最適化することで、成長領域にガスがより均一に堆積するようになり、SiC 単結晶のより均一な成長が保証され、不均一な気流によって引き起こされる欠陥が減少します。ガス流の均一性は、成長にとって重要な要素です。クリスタルの品質。

● 温度勾配制御

SiC 単結晶の成長プロセスでは、温度勾配が非常に重要です。 TaC コーティング ガイド リングは、ソース領域と成長領域のガス流を調整するのに役立ち、間接的に温度分布に影響を与えます。安定した気流により温度場の均一性が高まり、結晶の品質が向上します。

● ガス伝達効率の向上

SiC 単結晶の成長には原料の蒸発と堆積を正確に制御する必要があるため、TaC コーティング ガイド リングの設計によりガス透過効率が最適化され、原料ガスがより効率的に成長領域に流れ、成長が向上します。単結晶のレートと品質。

Vetek半導体のタンタル炭化物コーティングガイドリングは、高品質のグラファイトとTACコーティングで構成されています。強い腐食抵抗、強い酸化抵抗、強い機械的強度を備えた長いサービス寿命があります。 Vetek Semiconductorの技術チームは、最も効果的な技術的ソリューションを実現するのに役立ちます。あなたのニーズが何であれ、Vetek Semiconductorは、対応するカスタマイズされた製品を提供し、お問い合わせを楽しみにしています。

TaCコーティングの物性

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