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炭化物コーティングチューブのタンタルムは、結晶の成長を促します
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炭化物コーティングチューブのタンタルムは、結晶の成長を促します

タンタルム炭化物コーティングされた結晶の成長は、主にSIC結晶成長プロセスで使用されています。 Vetek Semiconductorは、長年にわたって結晶の成長のために炭化物コーティングチューブを供給しており、長年にわたってTACコーティングの分野で働いています。当社の製品は、純度が高く、温度抵抗が高くなっています。中国であなたの長期パートナーになることを楽しみにしています。お気軽にお問い合わせください。

Vetek半導体から結晶成長のために、カスタマイズされたタンタル炭化物コーティングチューブを購入することを安心できます。私たちはあなたと協力することを楽しみにしています、あなたがもっと知りたいなら、あなたは今私たちに相談することができます、私たちはあなたに時間内に返信します!


Vetek半導体は、物理的蒸気輸送(PVT)法を使用してSIC結晶成長のために特別に設計された結晶成長のために、炭化物コーティングされたチューブを提供します。 Vetek半導体のグラファイトチューブは、CVD Tantalum Carbide Coatingを備えた高純度を備えており、SIC結晶の成長に最適な性能を確保しています。第3世代の半導体として知られるSICクリスタルは、さまざまな用途で大きな可能性を秘めています。クリスタルの成長のためにタンタル炭化物コーティングされたチューブを利用することにより、研究者と業界の専門家はSICの成長を効果的に最適化し、高品質のSICクリスタルブールを生成できます。あなたが研究や工業生産に関与しているかどうかにかかわらず、当社の製品は、効率的なSIC結晶成長のための信頼できるソリューションを提供します。


TACコーティンググラファイトチューブに加えて、Vetek半導体には、TACコーティングリング、TACコーティングるつぼ、TACコーティングされた多孔質グラファイト、TACコーティンググラファイト受容器、TACコーティングガイドリング、TAC TANTALUM CARBIDEコーティングプレート、TACコーティングリング、TACコーティンググラファイトカバー、TACコーティンググラファイトカバーも供給します。


TaC coated graphite tube


PVTメソッドSICクリスタル成長

PVT method SiC Crystal Growth


結晶成長のためのタンタル炭化物コーティングチューブの製品パラメーター


TACコーティングの物理的特性
密度 14.3(g/cm³)
特定の放射率 0.3
熱膨張係数 6.3 10-6/k
硬度(hk) 2000 HK
抵抗 1×10-5オーム*cm
熱安定性 <2500℃
グラファイトサイズの変更 -10〜-20um
コーティングの厚さ ≥20um典型的な値(35um±10um)


コンポーネントを使用した後のウェーハパフォーマンス:

Wafer performance after using our components


半導体生産ショップを比較:

Veteksemi Tantalum Carbide Coated Tube for Crystal Growth shops


半導体チップエピタキシー産業チェーンの概要:

the semiconductor chip epitaxy industry chain


ホットタグ: 炭化物コーティングチューブのタンタルムは、結晶の成長を促します
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