SIC単結晶成長プロセススペアパーツ

Veteksemiconの製品、Tantalum Carbide（TAC）コーティングSIC単結晶成長プロセスの製品は、炭化シリコン（SIC）結晶の成長インターフェイス、特に結晶の端で発生する包括的な欠陥に関連する課題に対処します。 TACコーティングを適用することにより、クリスタルの成長品質を改善し、クリスタルの中心の有効な領域を増やすことを目指しています。これは、高速で厚い成長を達成するために重要です。

TACコーティングは、高品質の成長のためのコア技術ソリューションですsic 単結晶成長プロセス。化学蒸気堆積（CVD）を使用したTACコーティング技術の開発に成功しました。これは、国際的に高度なレベルに達しました。 TACには、最大3880°Cの高い融点、優れた機械的強度、硬度、熱衝撃耐性など、例外的な特性があります。また、アンモニア、水素、シリコン含有蒸気などの高温や物質にさらされると、良好な化学的不活性と熱安定性を示します。

Vekekemicon'sTantalum Carbide（TAC）コーティングSIC単結晶成長プロセスのエッジ関連の問題に対処するためのソリューションを提供し、成長プロセスの品質と効率を改善します。高度なTACコーティング技術により、第3世代の半導体産業の開発をサポートし、輸入された主要材料への依存を減らすことを目指しています。

PVTメソッドSIC単結晶成長プロセススペアパーツ：

TACコーティングるつぼ、TACコーティングを備えた種子ホルダー、TACコーティングガイドリングは、PVTメソッドによるSICおよびAIN単結晶炉の重要な部品です。

● 高温抵抗

●  高純度は、SICの原材料とSIC単結晶を汚染しません。

●  Al SteamおよびN虫腐食に耐性があります

●  結晶準備サイクルを短縮するための高い共切合温度（ALNを含む）。

●  リサイクル可能な（最大200時間）、このような単結晶の調製の持続可能性と効率を改善します。