MOCVDのSICコーティングされた衛星カバー

中国の大手SICコーティングMOCVD衛星カバーメーカーとして、Veteksemconは半導体業界に高性能のエピタキシャルプロセスソリューションを提供することに取り組んでいます。当社のMOCVD SICコーティングカバーは、衛星環境またはサンプルをサポートおよびカバーするために、衛星容疑者システム（SSS）で慎重に設計され、通常使用されています。

重要な材料と構造

● 基板：SICコーティングされたカバーは、通常、等純度のグラファイトまたは等球のグラファイトなどのセラミック基板で作られており、機械的な強度と軽量を提供します。

●  表面コーティング：高温、腐食、粒子汚染に対する耐性を高めるために、化学蒸気堆積（CVD）プロセスを使用してコーティングされた高純度の炭化物（sic）材料。

●  形状：通常、ディスク型またはMOCVD機器のさまざまなモデル（Veeco、Aixtronなど）に対応するための特別な構造設計があります。

MOCVDプロセスでの使用と重要な役割：

MOCVDのSICコーティングされた衛星カバーは、主にMOCVDエピタキシャル成長反応チャンバーで使用されており、その機能には以下が含まれます。

（1）ウェーハの保護と温度分布の最適化

MOCVD機器の重要な熱保護成分として、ウエハーの境界線をカバーして、不均一な加熱を減らし、成長温度の均一性を改善します。

特性：炭化シリコンコーティングは、高温の安定性と熱伝導率が良好です（300w.m^-1-K^-1）、エピタキシャル層の厚さとドーピングの均一性を改善するのに役立ちます。

（2）粒子の汚染を防ぎ、エピタキシャル層の品質を改善する

SICコーティングの密度および耐食性表面は、ソースガス（例：TMGA、TMAL、NH₃）を防ぎ、MOCVDプロセス中に基質と反応し、粒子の汚染を減らします。

特性：その低い吸着特性は、沈着残基を減らし、GAN、SICエピタキシャルウェーハの収量を改善します。

（3）高温抵抗、腐食抵抗、機器のサービス寿命を延長する

MOCVDプロセスでは、高温（> 1000°C）および腐食性ガス（NH₃、H₂など）が使用されます。 SICコーティングは、化学物質の侵食に抵抗し、機器のメンテナンスコストを削減するのに効果的です。

特性：熱膨張係数が低いため（4.5×10^-6K^-1）、SICは寸法の安定性を維持し、熱サイクリング環境の歪みを回避します。

CVDコーティングフィルムクリスタル構造：

CVD SICコーティングの基本的な物理的特性

MOCVD製品ショップ用のVeteksemiconのSICコーティングされた衛星カバー：