SiC結晶成長用高純度SiCパウダー

1. 主な特徴

· 高純度レベル:純度能力は最大 99.9999% (6N グレード) に達します。

· 超低金属不純物:SiC結晶成長用に最適化された微量金属汚染を最小限に抑えます。

· 完全な透明性:すべてのバッチで利用可能な完全な GDMS (グロー放電質量分析) 試験データ。

· 安定した熱性能:PVT 成長実行中の予測可能性が高く均一な昇華挙動。

· 制御された粒度分布:粒度測定は一貫した充填密度を維持するために注意深く監視されています。

· カスタマイズされた配合:ご要望に応じて、カスタムの粒子サイズと分布曲線も利用可能です。

· 半導体品質基準:半導体グレードの品質管理システムのもとで厳密に製造されています。

2. 商品ビジュアル

3. 技術仕様

4. アプリケーション

· PVT SiC 結晶成長:導電性と半絶縁性のSiCインゴット。

・半導体基板：ウエハ基板＆エピタキシャル加工原料。

· ハイエンドの熱コンポーネント:先進的なセラミックコンポーネントとサセプターコーティング。

· 研究開発アプリケーション:次世代パワーエレクトロニクス研究と高周波デバイス。

5. VeTek Semiconductor を選ぶ理由?

· 独自の精製:高度な精製技術により、単結晶成長において最大 6N の純度が実現します。

· 厳格な品質管理:厳格な半導体グレードの汚染管理による専用の品質保証。

· カスタマイズの柔軟性:さまざまな PVT 炉るつぼ仕様に適合する柔軟なカスタム粒子サイジング。

・安定したサプライチェーン：安定した長期量産納期を保証する確かな供給力。

· 技術的専門知識:お客様の特定の結晶成長プロセスに合わせた完全な技術サポート。