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sicブロック
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sicブロック

VeteksemiconのSICブロックは、シリコンとサファイアウェーハの高効率研削と薄化のために設計されています。優れた熱伝導率(≥120w/m・k)、高い熱衝撃耐性、および優れた耐摩耗性(MOHS≥9)により、ブロックはプロセスの安定性を改善し、ツールの変化頻度を減らします。 120mmから480mmのサイズがあり、カスタマイズされたオプションと、多様な生産ニーズを満たすための迅速な配信があります。

Veteksemiconは、半導体およびLED産業における高度な研削および薄化プロセスの厳しい要求を満たすように設計された高性能炭化シリコン(SIC)ブロックを提供しています。


ⅰ。キーアプリケーション


Veteksemicon sicブロックは次のとおりです。


半導体シリコンウェーハの研削プロセス:その後の製造ステップとデバイスのパフォーマンスに重要な超フラットと損傷のない表面を達成します。

LEDサファイアウェーハの研削プロセス:LED効率に不可欠な、硬く脆いサファイア基板で正確な材料除去と優れた表面仕上げを確保します。

LEDウェーハの薄化プロセス:LEDデバイスの光学的および電気的特性を最適化し、効率的で制御された薄化を促進します。


ⅱ。優れたパフォーマンスに不可欠な機能


私たちのSICブロックは、顕著な結果を提供するために細心の注意を払って作成されています。


良好な熱伝導率:粉砕中に発生した熱を効率的に放散し、ウェーハの熱損傷を防ぎ、プロセスの安定性を維持します。

優れた熱衝撃耐性:粉砕プロセスに固有の急速な温度変化に耐え、ブロックの寿命を延ばし、ダウンタイムを削減します。私たちのSICブロックは通常、大幅な分解なしに最大250℃の熱衝撃耐性を示します。

良好な耐摩耗性:例外的な硬度と耐摩耗性を提供し、一貫した材料除去率とブロック寿命を延ばします。私たちのSIC材料は通常、約2500 hVのビッカースの硬度を持っています。


ⅲ。技術仕様(典型的な値)


SICブロックの典型的な物理的特性は次のとおりです。


材料:焼結炭化物(原文)

密度:> 3.10 g / cm3

気孔率:<0.1%

曲げ強度(MOR):> 450 MPa

ヤングモジュラス:> 400 GPA

熱膨張係数:≈4.5×10-6/C(20〜1000c)


ⅳ。なぜvetek sicブロックを選択するのですか?


Veteksemiconは、優れた製品とサービスの経験を提供することに取り組んでいます。これが、私たちがあなたのSICブロックのニーズに優先される選択である理由は次のとおりです。


多様な仕様とカスタマイズ:さまざまな機器やプロセスに適合する幅広い標準仕様を提供しています。広範な在庫を超えて、お客様の独自の要件を満たすためにカスタマイズされたサービスを提供し、専門のアプリケーションにぴったりの適合を確保します。


安定した品質と高速配信:当社の製造プロセスは、厳しい品質管理基準に準拠しており、すべてのブロックで一貫したパフォーマンスを確保しています。堅牢なサプライチェーンを維持して、迅速で信頼できる配信を保証し、リードタイムを最小限に抑えます。


焼結炭化物の物理的特性

焼結炭化物の物理的特性
財産
典型的な価値
化学組成
sic> 95%、<5%
バルク密度
> 3.1 g/cm³
見かけの多孔性
<0.1%
20℃での破裂の弾性率
450 MPa
1200℃での破裂の弾性率
470 MPa
20℃での硬度
2400 kg/mm²
20%の骨折靭性
3.3 MPa・m1/2
1200℃での熱伝導率
45 w/m .k
20-1200での熱膨張
4.51 ×10-6/℃
最大温度
1400℃
1200℃での熱衝撃耐性
良い

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Veteksemicon products shop

ホットタグ: LEDウェーハターニング、サファイアウェーハ研削、SIC研削板、半導体バックエンドプロセス
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