CVD SiC コーティング ノズル

VeTek Semiconductor は、CVD SiC コーティング ハーフムーン部品やその付属品 CVD SiC コーティング ノズルなどのエピタキシャル デバイス用 CVD SiC コーティング アクセサリの専門メーカーです。お問い合わせを歓迎します。

PE1O8は、処理するように設計された完全に自動カートリッジツーカートリッジシステムですSiCウェーハ200mmまで。フォーマットは 150 mm と 200 mm の間で切り替えることができるため、ツールのダウンタイムが最小限に抑えられます。加熱ステージの削減により生産性が向上し、自動化により労力が軽減され、品質と再現性が向上します。効率的でコスト競争力のあるエピタキシープロセスを確保するには、次の 3 つの主な要因が報告されています。 

●高速プロセス。

● 厚さとドーピングの均一性が高い。

● エピタキシープロセス中の欠陥形成を最小限に抑える。 

PE1O8 では、小さなグラファイト質量と自動ロード/アンロード システムにより、標準的な実行を 75 分未満で完了できます (標準的な 10μm ショットキー ダイオードの配合では 30μm/h の成長速度が使用されます)。自動システムにより、高温での積み降ろしが可能です。その結果、加熱と冷却の時間が短くなり、焼成工程が抑制されます。この理想的な条件により、真のアンドープ材料の成長が可能になります。

炭化ケイ素エピタキシーのプロセスにおいて、CVD SiC コーティング ノズルはエピタキシャル層の成長と品質において重要な役割を果たします。ノズルの役割をさらに詳しく説明します。炭化ケイ素エピタキシー:

● ガスの供給と制御: ノズルは、シリコン ソース ガスや炭素ソース ガスなど、エピタキシー中に必要な混合ガスを供給するために使用されます。ノズルを通じてガス流量と比率を正確に制御して、エピタキシャル層と所望の化学組成を均一に成長させることができます。

●温度制御：ノズルは、エピタキシー反応器内の温度を制御するのにも役立ちます。炭化シリコンのエピタキシーでは、温度は成長速度と結晶の質に影響を与える重要な要因です。ノズルを介して熱または冷却ガスを提供することにより、エピタキシャル層の成長温度を最適な成長条件のために調整できます。

●ガス流量分布: ノズルの設計は、反応器内のガスの均一な分布に影響します。均一なガス流分布により、エピタキシャル層の均一性と一貫した厚さが確保され、材料品質の不均一性に関連する問題が回避されます。

●不純物の混入防止: ノズルの適切な設計と使用は、エピタキシープロセス中の不純物の汚染を防ぐのに役立ちます。適切なノズル設計により、外部不純物が反応炉に侵入する可能性が最小限に抑えられ、エピタキシャル層の純度と品質が確保されます。

CVD SICコーティングフィルムクリスタル構造:

CVD SiC コーティングの基本物性: