製品
CMP研磨剤
  • CMP研磨剤CMP研磨剤

CMP研磨剤

CMP研磨剤(Chemical Mechanical Polishing Slurry)は、半導体製造や精密材料加工に使用される高性能材料です。その中心機能は、化学的腐食と機械的研削の相乗効果により、材料表面の微細な平坦性と研磨を実現し、ナノレベルでの平坦性と表面品質の要件を満たすことです。またのご相談をお待ちしております。

Veteksemicon の CMP 研磨スラリーは、主に半導体材料を平坦化するための CMP 化学機械研磨スラリーの研磨砥粒として使用されます。次のような利点があります。

粒子径や粒子の凝集度を自由に調整可能。
粒子は単分散であり、粒度分布は均一です。
分散系は安定しています。
量産規模が大きく、バッチ間の差が小さいため、
凝縮して沈殿するのは容易ではありません。


超高純度シリーズ製品の性能指標

パラメータ
ユニット
超高純度シリーズ製品の性能指標

アプシー-1
アプシー-2
アプシー-3
アプシー-4
アプシー-5
アプシー-6
アプシー-7
平均シリカ粒子サイズ
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
ナノ粒子サイズ分布 (PDI)
1 <0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
溶液のpH
1 7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
固形コンテンツ
% 20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
外観
--
水色


オフホワイト
オフホワイト
オフホワイト
オフホワイト
粒子形態 X
X:S-球状、B-湾曲、P-ピーナッツ状、T-球状、C-鎖状(集合状態)
イオンを安定化する
有機/無機アミン
原料組成Y
Y:M-TMOS;E-TEOS;ME-TMOS+TEOS;EM-TEOS+TMOS
金属不純物含有量
≤ 300ppb


高純度シリーズ製品の性能仕様

パラメータ
ユニット
高純度シリーズ製品の性能仕様
WGXY-1Z WGXY-2Z
WGXY-3Z
WGXY-4Z
WGXY-5Z
WGXY-6Z
WGXY-7Z
平均シリカ粒子サイズ
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
ナノ粒子サイズ分布 (PDI)
1 <0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
溶液のpH
1 9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
固形コンテンツ
% 30-40 30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
外観
--
水色


オフホワイト
オフホワイト
オフホワイト
オフホワイト
粒子形態 X
X:S-球状、B-湾曲、P-ピーナッツ状、T-球状、C-鎖状(集合状態)
イオンを安定化する
M:有機アミン、K:水酸化カリウム、N:水酸化ナトリウム、またはその他の成分
金属不純物含有量
Z:高純度シリーズ(Hシリーズ≤1ppm、Lシリーズ≤10ppm)、標準シリーズ(Mシリーズ≤300ppm)

CMP研磨剤製品の用途:


●集積回路ILD材料CMP

● 集積回路 Poly-Si 材料 CMP

●半導体単結晶シリコンウェーハ材料CMP

●半導体炭化ケイ素材料CMP

●集積回路STI材料CMP

● 集積回路金属および金属バリア層材料 CMP


ホットタグ: CMP研磨剤
お問い合わせを送信
連絡先情報
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
当社は Cookie を使用して、より良いブラウジング体験を提供し、サイトのトラフィックを分析し、コンテンツをパーソナライズします。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。プライバシーポリシー