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CMP研磨剤
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CMP研磨剤

CMP研磨剤(Chemical Mechanical Polishing Slurry)は、半導体製造や精密材料加工に使用される高性能材料です。その中心機能は、化学的腐食と機械的研削の相乗効果により、材料表面の微細な平坦性と研磨を実現し、ナノレベルでの平坦性と表面品質の要件を満たすことです。またのご相談をお待ちしております。

Veteksemicon の CMP 研磨スラリーは、主に半導体材料を平坦化するための CMP 化学機械研磨スラリーの研磨砥粒として使用されます。次のような利点があります。

粒子径や粒子の凝集度を自由に調整可能。
粒子は単分散であり、粒度分布は均一です。
分散系は安定しています。
量産規模が大きく、バッチ間の差が小さいため、
凝縮して沈殿するのは容易ではありません。


超高純度シリーズ製品の性能指標

パラメータ
ユニット
超高純度シリーズ製品の性能指標

アプシー-1
アプシー-2
アプシー-3
アプシー-4
アプシー-5
アプシー-6
アプシー-7
平均シリカ粒子サイズ
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
ナノ粒子サイズ分布 (PDI)
1 <0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
溶液のpH
1 7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
固形コンテンツ
% 20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
20.5±0.5
外観
--
水色


オフホワイト
オフホワイト
オフホワイト
オフホワイト
粒子形態 X
X:S-球状、B-湾曲、P-ピーナッツ状、T-球状、C-鎖状(集合状態)
イオンを安定化する
有機/無機アミン
原料組成Y
Y:M-TMOS;E-TEOS;ME-TMOS+TEOS;EM-TEOS+TMOS
金属不純物含有量
≤ 300ppb


高純度シリーズ製品の性能仕様

パラメータ
ユニット
高純度シリーズ製品の性能仕様
WGXY-1Z WGXY-2Z
WGXY-3Z
WGXY-4Z
WGXY-5Z
WGXY-6Z
WGXY-7Z
平均シリカ粒子サイズ
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
ナノ粒子サイズ分布 (PDI)
1 <0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
<0.15
溶液のpH
1 9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
9.5±0.2
固形コンテンツ
% 30-40 30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
外観
--
水色


オフホワイト
オフホワイト
オフホワイト
オフホワイト
粒子形態 X
X:S-球状、B-湾曲、P-ピーナッツ状、T-球状、C-鎖状(集合状態)
イオンを安定化する
M:有機アミン、K:水酸化カリウム、N:水酸化ナトリウム、またはその他の成分
金属不純物含有量
Z:高純度シリーズ(Hシリーズ≤1ppm、Lシリーズ≤10ppm)、標準シリーズ(Mシリーズ≤300ppm)

CMP研磨剤製品の用途:


●集積回路ILD材料CMP

● 集積回路 Poly-Si 材料 CMP

●半導体単結晶シリコンウェーハ材料CMP

●半導体炭化ケイ素材料CMP

●集積回路STI材料CMP

● 集積回路金属および金属バリア層材料 CMP


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