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導かれたエピタキシープロビデンス
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導かれたエピタキシープロビデンス

Vetek半導体のLEDエピタキシー受容器は、青と緑のLEDエピタキシャル製造用に設計されています。炭化シリコンコーティングとSGLグラファイトを組み合わせており、硬度、粗さが低く、熱安定性が良好で、化学物質の安定性が優れています。 LEDエピタキシー受容器は、Vetek半導体の最も優れた製品の1つです。お問い合わせをお待ちしております。

青と緑のLED製造の分野では、現在の市場で最高の製品の1つとして、LEDエピタキシー受容者がVetek Semiconductorの強力な製造能力を示しています。 LED EPI受容器は、AMEC MOCVD機器にシームレスに接続されています。これは、Vetek Semiconductorの大企業との良好な協力関係も証明しています。の優れたパフォーマンスを組み合わせて炭化シリコンコーティングSGLグラファイトの優れた特性により、この受容器はLEDエピタキシャル成長を比類のないサポートを提供し、LED企業が激しい市場競争において際立っています。


コアマテリアルの利点


(i)炭化シリコンコーティング

炭化シリコンコーティングは、LEDエピタキシー受容体が優れた表面硬度を提供し、LEDエピタキシャルの成長中にさまざまな物理的摩耗や傷に抵抗することができます。表面の平坦性と滑らかさを長時間維持することで、エピタキシャル層の成長の均一性が影響を受けず、製品の収量と一貫性を効果的に改善することが保証されます。それにより、結晶欠陥の形成を減らし、青と緑のLEDの発光効率と電気性能を大幅に改善します。同時に、炭化シリコンコーティング優れた化学物質の安定性があります。 MOCVD機器の化学反応物とは反応せず、不純物の導入とコーティングの腐食を避けます。


(ii)SGLグラファイト

Vetek Semiconductorは、基質としてSGLグラファイトを使用します。青と緑のLEDのエピタキシャル成長中、SGLグラファイトは反応によって発生する熱を迅速に伝達し、受容器の温度勾配を効果的に低下させ、成長領域全体の温度均一性を確保することができます。これは、熱ストレスによって引き起こされる結晶欠陥を減らし、LEDチップの結晶の質と信頼性を改善するのに役立ちます。


SGLグラファイトの優れた処理パフォーマンスにより、受容器をさまざまな複雑な形状とサイズに正確に処理して、さまざまな種類のMOCVD機器とLED製造プロセスのニーズを満たすことができます。


SICコーティングの技術的パフォーマンス指標


SICコーティングの技術的パフォーマンス指標
財産
典型的な値
結晶構造
FCCβ相多結晶、主に(111)配向
コーティング密度
3.21 g/cm³
SICコーティングの硬度
2500ビッカーズの硬度(500g負荷)
穀物サイズ
2〜10mm
化学純度
99.99995%
SICコーティング熱容量
640 J・kg-1・k-1
昇華温度
2700℃
曲げ強度
415 MPA RT 4ポイント
ヤングモジュラス
430 GPA 4PTベンド、1300℃
熱伝導率
300W・m-1・k-1
熱膨張(CTE)
4.5×10-6K-1

Vetek Semiconductorには、LEDエピタキシー受容者向けのさまざまな技術コンサルティングサービスを顧客に提供できる専門の技術チームがあります。それが製品の原則と特性であろうと、実際のアプリケーションでのプロセスの最適化と問題解決であろうと、当社の専門家は、顧客の技術レベルと生産能力を改善するために、詳細かつ専門的なガイダンスを提供できます。


CVD SICコーティングフィルムのSEMデータ

SEM DATA OF CVD SIC COATING FILM


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