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高純度CVD sic原材料
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高純度CVD sic原材料

CVDが調製した高純度CVD SIC原料は、物理的な蒸気輸送による炭化シリコンの結晶成長に最適な材料です。 VETEK半導体によって供給される高純度CVD SIC原材料の密度は、SiおよびC含有ガスの自然燃焼によって形成される小さな粒子の密度よりも高く、専用の焼結炉を必要とせず、ほぼ一定の蒸発速度を持っています。非常に高品質のSIC単結晶を育てることができます。お問い合わせを楽しみにしています。

セミコノントルを扱いますSIC単結晶原料 - 高純度CVD sic原材料。この製品は国内のギャップを埋め、世界的にもリードレベルにあり、競争で長期的な主要な地位にあります。従来のシリコン炭化物原材料は、高純度のシリコンの反応によって生成され、黒鉛、コストが高く、純度が低く、サイズが小さい。 


Vetek半導体の流動床技術は、メチルトリクロロジランを使用して、化学蒸気堆積を介してシリコン炭化物原料を生成し、主な副産物は塩酸です。塩酸は、アルカリで中和することにより塩を形成する可能性があり、環境に汚染を引き起こすことはありません。同時に、メチルトリクロロジランは広く使用されている工業用ガスであり、特に中国はメチルトリクロロジランの主要生産者です。したがって、Vetek Semiconductorの高純度CVD SIC原料は、コストと品質の点で国際的な競争力を持っています。99.9995%.


高純度CVD sic原材料の利点

High purity CVD SiC raw materials

 ● 大きなサイズと高密度

平均粒子サイズは約4〜10mmで、国内のアケソン原材料の粒子サイズは2.5mm未満です。同じ体積のるつぼは、1.5kg以上の原材料を保持することができます。これは、大規模な結晶成長材料の供給不足の問題を解決し、原材料のグラフィット化を緩和し、炭素の包装を減らし、結晶品質を改善することに役立ちます。


 ●低Si/C比

自己伝播法のアチソン原材料よりも1:1に近いため、Si部分的圧力の増加によって誘発される欠陥を減らすことができます。


 ●高出力値

成長した原材料は、プロトタイプを維持し、再結晶を減らし、原材料のグラフィット化を減らし、炭素包装欠陥を減らし、結晶の品質を改善します。


より高い純度

CVD法によって生成される原材料の純度は、自己伝播法のAcheson原材料の純度よりも高くなっています。窒素含有量は、追加の精製なしで0.09ppmに達しました。この原材料は、半断熱分野でも重要な役割を果たすことができます。

High purity CVD SiC raw material for SiC Single Crystal低コスト

均一な蒸発率は、プロセスと製品の品質管理を促進し、一方、原材料の利用率を改善します(利用率> 50%、4.5kgの原材料は3.5kgのインゴットを生成します)。


 ●低いヒューマンエラー率

化学蒸着は、人間の手術によって導入される不純物を避けます。


高純度CVD sic原材料は、交換に使用される新世代の製品ですSIC単結晶を栽培するためのsic粉末。成長したSIC単結晶の品質は非常に高いです。現在、Vetek Semiconductorはこの技術を完全に習得しています。そして、すでにこの製品を非常に有利な価格で市場に供給することができます。


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