SiC エピタキシャル プロセスは通常、1500°C を超える温度での長時間の操作を必要とし、あらゆる材料にとって厳しい課題となります。 Veteksemicon サセプタは、特別に処理された静水圧加圧グラファイトを使用しており、その高温曲げ強度と耐クリープ性は通常のグラファイトをはるかに上回っています。数百時間の連続した高温熱サイクルの後でも、当社の製品は初期の形状と機械的強度を維持し、トレイの変形によって引き起こされるウェーハの反り、滑り、またはプロセスキャビティの汚染リスクを効果的に防止し、生産活動の継続性と安全性を根本的に確保します。
3. プロセスの安定性を最大限に高める
生産中断と計画外のメンテナンスは、ウェーハ製造における大きなコストキラーです。 Veteksemicon は、プロセスの安定性がサセプターの中核となる指標であると考えています。当社の特許取得済みの CVD SiC コーティングは、緻密で非多孔質で、鏡のように滑らかな表面を持っています。これにより、高温気流下での粒子の脱落が大幅に減少するだけでなく、反応副生成物 (多結晶 SiC など) のトレイ表面への付着も大幅に遅くなります。これは、反応チャンバーが長期間にわたって清浄な状態を維持できることを意味し、定期的な洗浄とメンテナンスの間隔が延長され、それによって全体的な装置の使用率とスループットが向上します。
4.耐用年数の延長
消耗部品であるサセプタの交換頻度は、生産運営コストに直接影響します。 Veteksemicon は、「基板の最適化」と「コーティングの強化」という 2 つの技術的アプローチを通じて製品の寿命を延ばします。高密度、低気孔率のグラファイト基板は、プロセスガスによる基板の浸透と腐食を効果的に遅らせます。同時に、厚く均一な SiC コーティングが堅牢なバリアとして機能し、高温での昇華を大幅に抑制します。実際のテストでは、同じプロセス条件下で、Veteksemicon サセプタは性能劣化速度が遅く、有効耐用年数が長く、その結果、ウェーハあたりの運用コストが低下することが示されています。