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CVD 炭化ケイ素 (SiC) コーティングされたグラファイト RTP RTA キャリア
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CVD 炭化ケイ素 (SiC) コーティングされたグラファイト RTP RTA キャリア

VETEK CVD 炭化ケイ素 (SiC) コーティングされたグラファイト RTP RTA キャリアは、半導体製造で使用される急速熱処理 (RTP) および急速熱アニーリング (RTA) システム用に設計されています。高密度 CVD SiC コーティングを施した高純度静水圧グラファイトから製造されており、優れた熱安定性、優れた温度均一性、優れた耐薬品性、および超低粒子発生を実現します。このキャリアは、繰り返しの急速な加熱と冷却のサイクルに耐えるように設計されており、シリコン ウェーハ アニーリングやその他の高温半導体アプリケーションにおいて、信頼性の高いウェーハ サポートと安定したプロセス パフォーマンスを保証します。

製品の特徴

· 主要な機器:急速熱アニーリング (RTA) および急速熱処理 (RTP) システム用に設計されています。

· プリマりー Aアプリケーション: 半導体ウェーハのアニーリングプロセスに最適化されています。

· オペe評価 Te温度:200℃から700℃まで安定動作。

· Excエレント・サー均一性の低下: 均一な熱分布を確保し、一貫したウェーハ処理を実現します。

· 低パーティクルG生成: 高密度 CVD SiC コーティングにより汚染が最小限に抑えられ、生産歩留まりが向上します。

· 優れた耐薬品性:熱処理中の酸化や腐食性プロセスガスに対する耐性があります。

· 素晴らしいg サーム耐衝撃性: 急速な加熱と冷却のサイクルを繰り返しても構造の完全性を維持します。

· 長寿命:耐摩耗性 SiC コーティングにより、コンポーネントの寿命が大幅に延長され、メンテナンスコストが削減されます。

· カスタム製造:さまざまな RTP/RTA 機器に適合するさまざまなサイズと構成が用意されています。


技術仕様

CVD SiCコーティングの基本物性
財産
代表値
結晶構造
FCC β 相多結晶、主に (111) 配向
密度
3.21 g/cm3
硬度
ビッカース硬度 2500(500g荷重)
粒度
2~10μm
化学純度
99.99995%
熱容量
640J・kg⁻¹・K⁻¹
昇華温度
2700℃
曲げ強度
415MPa(RT、4点曲げ)
ヤング率
430 GPa (4点曲げ、1300℃)
熱伝導率
300W・m⁻¹・K⁻¹
熱膨張係数 (CTE)
4.5 × 10⁻⁶ K⁻¹

アプリケーション

·急速熱アニーリング (RTA)

· 急速熱処理 (RTP)

· シリコンウェーハアニーリング

· ドーパントの活性化

· 酸化

· 拡散

·化合物半導体製造

·MEMS製造

·パワー半導体処理


よくある質問

1. RTP/RTA キャリアとは何ですか?

RTP/RTA キャリアは、急速熱処理および急速熱アニーリング システム内で使用されるウェーハ サポート コンポーネントです。熱サイクル全体にわたって均一な熱伝達を提供しながら、半導体ウェーハをしっかりと保持します。

2. CVD SiC コーティングが推奨されるのはなぜですか?

裸のグラファイトと比較して、CVD SiC コーティングは優れた耐酸化性、粒子発生の低減、化学的安定性の向上、および耐用年数の大幅な延長を実現します。

3. VETEK はカスタマイズされた RTP/RTA キャリアを提供できますか?

はい。 VETEK は、顧客の図面に基づいてカスタマイズされた RTP/RTA キャリアを提供します。


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