窒化アルミニウム (AlN) ウェーハ

1. 主な特徴と利点

• 超ワイドバンドギャップ ≈ 6.2 eV — 主流の半導体材料の中で最高

• 高い熱伝導率 ≈ 320 W/m・K による効率的な放熱

• 優れた電気絶縁性 (>10¹3 Ω・cm) と高い絶縁破壊電界 (12 ～ 15 MV/cm)

• GaNとの良好な格子と熱膨張の一致 - GaN-on-AlNヘテロ構造に最適

• 厳密な HR-XRD ロッキングカーブ制御による低転位密度オプション

• エピレディ表面用の Al 面 CMP (Ra ≤ 0.5 nm) および N 面 MP

• 生産および研究の要件に適合する複数のサイズと品質グレード (P / R / D)

2. 代表的な用途

• レーダーおよび6G通信用の高出力RFデバイス

• グリッド、データセンター、電気自動車用の高電圧パワーエレクトロニクス

• 深紫外 (UVC) LED およびレーザー ダイオード

• GaN-on-AlN エピタキシャル成長および高度なヘテロ構造デバイス

• 高温、高周​​波、過酷な環境で使用される半導体部品

3. 利用可能なサイズと品質グレード

VeTek は、次の標準フォーマットの AlN ウェーハを提供しています。ご要望に応じてカスタムサイズや仕様についてもご相談いただけます。

• 10×10mm角基板

• 1 インチ (25.4 mm) ウェーハ

• 2インチ（50.8mm）ウェーハ

品質グレード: P グレード (製品)、R グレード (研究)、D グレード (実験)。主に HR-XRD ロッキングカーブ FWHM と全体的な結晶品質によって区別されます。

4. 主要な技術仕様

各サイズに共通のパラメータ (代表的な値。注記されている場合はグレードに依存します):

サイズ固有の幾何公差:

• 10×10 mm: 辺の長さ 10 mm ± 0.5 mm。 TTV ≤ 15 μm;反り ≤ 15 μm

• 1 インチ: 直径 25.4 mm ± 0.5 mm。使用可能領域 ≥ 90%; TTV ≤ 20 μm;反り ≤ 20 μm;一次面取り（10-10）±5°、長さ8mm±1mm

• 2 インチ: 直径 50.8 mm ± 0.5 mm。使用可能領域 ≥ 90%; TTV ≤ 30 μm;反り ≤ 30 μm;一次平坦長さ 16 mm ± 2 mm

5. VeTek AlN ウェーハを選ぶ理由?

VeTek Semiconductor は、先進的な半導体材料およびコンポーネントの専門サプライヤーとして、以下を提供します。

• 制御された結晶品質とエピレディ表面を備えた高品質の AlN 単結晶ウェーハ

• デバイス製造と研究プログラムの両方をサポートする複数のサイズとグレードのオプション

• VeTek 半導体材料ポートフォリオの補完的なウェーハおよび基板ソリューション

• 材料選択とプロセスマッチングの技術サポート

当社の AlN ウェーハは、窒化アルミニウムが提供する超広バンドギャップ、高熱伝導率、GaN 適合性の独自の組み合わせを必要とする、高出力 RF、高電圧、深紫外光電子デバイスの開発を加速するのに役立ちます。