ソリッドSICウェーハキャリアは、半導体エピタキシャルプロセスの高温、高圧、および腐食性環境向けに製造されたコンポーネントであり、高純度要件を持つさまざまなウェーハ製造プロセスに適しています。
固体SICウェーハキャリアは、ウェーハの端を覆い、ウェーハを保護し、正確に配置し、高品質のエピタキシャル層の成長を確保します。 SIC材料は、液相エピタキシー(LPE)、化学蒸気堆積(CVD)、金属有機蒸気(MOCVD)などのプロセスで広く使用されています。 Vetek半導体の固体SICウェーハキャリアは、複数の過酷な環境で検証されており、ウェーハエピタキシャル成長プロセスの安定性と効率を効果的に保証できます。
●超高温の安定性: 固体SICウェーハキャリアは、最大1500°Cまでの温度で安定したままであり、変形や亀裂を起こしやすいものではありません。 ●優れた化学腐食抵抗: 高純度の炭化物材料を使用して、強酸、強いアルカリ、腐食性ガスなど、さまざまな化学物質からの腐食に抵抗し、ウェーハキャリアのサービス寿命を延ばします。 ●高い熱伝導率: 固体SICウェーハキャリアは優れた熱伝導率を持ち、プロセス中に熱を迅速かつ均等に分散させることができ、ウェーハ温度の安定性を維持し、エピタキシャル層の均一性と品質を改善することができます。 ●粒子の生成が低い: SIC材料は、自然な低い粒子生成特性を持っているため、汚染のリスクを軽減し、高純度のために半導体産業の厳格な要件を満たすことができます。
●超高温の安定性: 固体SICウェーハキャリアは、最大1500°Cまでの温度で安定したままであり、変形や亀裂を起こしやすいものではありません。
●優れた化学腐食抵抗: 高純度の炭化物材料を使用して、強酸、強いアルカリ、腐食性ガスなど、さまざまな化学物質からの腐食に抵抗し、ウェーハキャリアのサービス寿命を延ばします。
●高い熱伝導率: 固体SICウェーハキャリアは優れた熱伝導率を持ち、プロセス中に熱を迅速かつ均等に分散させることができ、ウェーハ温度の安定性を維持し、エピタキシャル層の均一性と品質を改善することができます。
●粒子の生成が低い: SIC材料は、自然な低い粒子生成特性を持っているため、汚染のリスクを軽減し、高純度のために半導体産業の厳格な要件を満たすことができます。
パラメーター 説明 材料 高純度の固体炭化シリコン 適用可能なウェーハサイズ 4インチ、6インチ、8インチ、12インチ(カスタマイズ可能) 最大温度耐性 最大1500°C 耐薬品性 酸およびアルカリ抵抗、フッ化物耐性耐性 熱伝導率 250 w/(m・k) 粒子生成率 超低純度要件に適した超低粒子生成 カスタマイズオプション サイズ、形状、その他の技術的パラメーターは、必要に応じてカスタマイズできます
●信頼性:最終的な顧客による厳密なテストと実際の検証の後、極端な条件下で長期的かつ安定したサポートを提供し、プロセスの中断のリスクを減らすことができます。 ●高品質の材料:最高品質のSIC材料で作られているので、各SICウェーハキャリアが業界の高い基準を満たしていることを確認してください。 ●カスタマイズサービス:特定のプロセスニーズを満たすための複数の仕様と技術要件のカスタマイズをサポートします。
●信頼性:最終的な顧客による厳密なテストと実際の検証の後、極端な条件下で長期的かつ安定したサポートを提供し、プロセスの中断のリスクを減らすことができます。
●高品質の材料:最高品質のSIC材料で作られているので、各SICウェーハキャリアが業界の高い基準を満たしていることを確認してください。
●カスタマイズサービス:特定のプロセスニーズを満たすための複数の仕様と技術要件のカスタマイズをサポートします。
より多くの製品情報が必要な場合、または注文を行うには、お問い合わせください。生産効率を改善し、メンテナンスコストを削減するために、特定のニーズに基づいて専門的な相談とソリューションを提供します。
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