業界ニュース

8 インチの炭化ケイ素 (SiC) プロセスが成熟するにつれて、メーカーは 6 インチから 8 インチへの移行を加速しています。最近、オン・セミコンダクターとレゾナックは、8 インチ SiC 製造に関する最新情報を発表しました。

この記事では、イタリアの LPE 社が新しく設計した PE1O8 ホットウォール CVD リアクターの最新開発と、200mm SiC 上で均一な 4H-SiC エピタキシーを実行するその能力について紹介します。

With the growing demand for SiC materials in power electronics, optoelectronics and other fields, the development of SiC single crystal growth technology will become a key area of ​​scientific and technological innovation. As the core of SiC single crystal growth equipment, thermal field design will continue to receive extensive attention and in-depth research.

継続的な技術の進歩と詳細なメカニズム研究により、3C-SICヘテロエピタキシャル技術は、半導体業界でより重要な役割を果たすことが期待され、高効率の電子デバイスの開発を促進することが期待されています。