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8インチの炭化シリコンシングルクリスタル成長炉技術に基づく11 2024-07

8インチの炭化シリコンシングルクリスタル成長炉技術に基づく

炭化シリコンは、高温、高周​​波、高電力、高電圧デバイスを作るのに理想的な材料の1つです。生産効率を改善し、コストを削減するために、大規模な炭化シリコンの準備は重要な開発方向です。
中国企業がBroadcomと5nmチップを開発していると報じられています。10 2024-07

中国企業がBroadcomと5nmチップを開発していると報じられています。

海外ニュースによると、関係筋２人は６月２４日、バイトダンスが米国のチップ設計会社ブロードコムと協力して高度な人工知能（ＡＩ）コンピューティングプロセッサーの開発に取り組んでいることを明らかにした。これは、中国との緊張が高まる中、バイトダンスがハイエンドチップの適切な供給を確保するのに役立つだろう。そして米国。
三安オプトエレクトロニクス株式会社：8インチSiCチップは12月に生産開始予定！09 2024-07

三安オプトエレクトロニクス株式会社：8インチSiCチップは12月に生産開始予定！

SIC業界の大手メーカーとして、Sanan Optoelectronicsの関連ダイナミクスは、業界で広範な注目を集めています。最近、Sanan Optoelectronicsは、8インチの変革、新しい基板工場の生産、新しい企業の設立、政府補助金、その他の側面を含む一連の最新の開発を明らかにしました。
単結晶炉でのTACコーティンググラファイト部品の適用05 2024-07

単結晶炉でのTACコーティンググラファイト部品の適用

物理蒸気輸送（PVT）法を使用したSICおよびALN単結晶の成長では、るつぼ、シードホルダー、ガイドリングなどの重要なコンポーネントが重要な役割を果たします。図2 [1]に示されているように、PVTプロセス中に、種子結晶は低温領域に配置され、SICの原料はより高い温度（2400°以上）にさらされます。
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