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シリコンエピタキシーの特徴20 2024-06

シリコンエピタキシーの特徴

高純度: 化学気相成長 (CVD) によって成長させたシリコン エピタキシャル層は非常に純度が高く、従来のウェーハよりも優れた表面平坦性と低い欠陥密度を備えています。
固体炭化シリコンの使用20 2024-06

固体炭化シリコンの使用

ソリッドシリコン炭化物（SIC）は、独自の物理的特性により、半導体製造の重要な材料の1つになりました。以下は、その物理的特性と半導体機器（ウェーハキャリア、シャワーヘッド、エッチングフォーカスリングなど）での特定の用途に基づいたその利点と実用的な価値の分析です。
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