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Cubic Silicon Carbide Wafersのインテリジェントカッティングテクノロジー

Cubic Silicon Carbide Wafersのインテリジェントカッティングテクノロジー

スマートカットは、イオンの着床とウェーハストリッピングに基づいた高度な半導体製造プロセスで、特に超薄く、非常に均一な3c-SIC（炭化キュービックシリコンシリコン）ウェーハの生産用に設計されています。それは、ある基質からある基質から別の基質に超薄い結晶材料を移すことができ、それにより元の物理的制限を破り、基板産業全体を変えることができます。

SIC成長のコア材料は何ですか？

SIC成長のコア材料は何ですか？

高品質で高収量の炭化シリコンシリコンの調製において、コアには、優れた熱磁場材料による生産温度を正確に制御する必要があります。現在、主に使用されているサーマルフィールドのるつぼキットは、高純度のグラファイト構造成分であり、その機能は溶融炭素粉末とシリコンパウダーを加熱し、熱を維持することです。

第3世代の半導体とは正確には何ですか？

第3世代の半導体とは正確には何ですか？

第3世代の半導体を見ると、第1世代と第2世代が何であるかを確かに疑問に思うでしょう。ここでの「世代」は、半導体製造で使用される材料に基づいて分類されます。

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