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半導体基板ウェーハ：シリコン、GaAs、SiC、GaNの材料特性28 2024-08

半導体基板ウェーハ：シリコン、GaAs、SiC、GaNの材料特性

この記事では、シリコン、GaAs、SiC、GaN などの半導体基板ウェーハの材料特性を分析しています。
GANベースの低温エピタキシー技術27 2024-08

GANベースの低温エピタキシー技術

この記事では、主に、GANベースの材料の結晶構造、3。エピタキシャル技術要件、実装ソリューション、PVDの原則に基づく低温エピタキシャル技術の利点、および低温透過性エピタクシャル技術の開発展望など、GANベースの低温エピタキシャル技術について説明します。
CVD TACと焼結TACの違いは何ですか？26 2024-08

CVD TACと焼結TACの違いは何ですか？

この記事では、最初にTACの分子構造と物理的特性を紹介し、焼結炭化物炭化物とCVD炭化物の違いと応用、およびVetek Semiconductorの人気TACコーティング製品の違いと応用に焦点を当てています。
CVD TACコーティングを準備する方法は？ -Veteksemicon23 2024-08

CVD TACコーティングを準備する方法は？ -Veteksemicon

この記事では、CVD TACコーティングの製品特性、CVD法を使用したCVD TACコーティングの準備プロセス、および調製したCVD TACコーティングの表面形態検出の基本方法を紹介します。
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