テクノロジーとソリューション

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01 エピタキシーおよびエッチングプロセスにおける CVD SiC、TaC、および固体 SiC の性能境界
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01 エピタキシーおよびエッチングプロセスにおける CVD SiC、TaC、および固体 SiC の性能境界

適切な CVD SiC、TaC コーティング、または固体 SiC を選択すると、エピタキシー/エッチング ラインの粒子レベルとコンポーネントの寿命が直接決まります。この記事では、温度、雰囲気、プロセスによる明確な選択の境界を、主要な機器交換ソリューションと主要な指標と照合して提供し、迅速な意思決定とリスクの軽減に役立ちます。
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水誘導レーザー技術: SiC 基板の精密微細穴加工
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水誘導レーザー技術: SiC 基板の精密微細穴加工

VeTek の水誘導レーザー技術が、テーパーなしで HAZ を最小限に抑え、半導体アプリケーション向けに高歩留まりで 2 mm SiC 基板に均一な Φ0.15 mm スルーホールをどのように実現するかをご覧ください。
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VETEK-AMAT 中空リフト ピン ソリューション: CVD SiC コーティングを施した高純度グラファイト基板
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VETEK-AMAT 中空リフト ピン ソリューション: CVD SiC コーティングを施した高純度グラファイト基板

半導体装置用中空リフトピンの最大の技術課題は、外表面のコーティングではなく、中空構造の内壁に安定かつ均一なCVDコーティングを実現することにあります。内壁コーティングの均一性制御から内部ボアの清浄度保証に至るまで、すべてのプロセスステップがウェーハの歩留まりに直接影響します。この記事では、中空リフトピンの内壁コーティングの核となる課題と主要な技術的経路を分析します。
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