4H N型SiC基板

ヴェテック セミコンダクター4H N型SiC基板電気的、熱的、機械的特性に優れているため、高電力、高周波、高温、高信頼性が要求される半導体デバイスのプロセスに広く使用されています。

4H N型SICの分解電界強度は、2.2-3.0 mV/cmにもなります。この製品機能により、小型デバイスの製造がより高い電圧を処理できるため、4H N型SIC基板は、MOSFET、Schottky、JFETの製造によく使用されます。

4H N 型 SiC ウェーハの熱伝導率は約 4.9 W/cm・K で、効果的に熱を放散し、熱の蓄積を減らし、デバイスの寿命を延ばし、高出力密度のアプリケーションに適しています。

さらに、Vetek半導体4H N型SICウェーハは、600°Cまでの温度で安定した電子性能を持つことができるため、高温センサーの製造によく使用され、極端な環境に非常に適しています。

N型の炭化シリコン炭化物基板上の炭化シリコンエピタキシャル層を成長させることにより、炭化シリコンホモエピタキシャルウェーハをさらに、SBD、MOSFET、IGBTなどの電力装置にさらに作成できます。 - 電力の送信と変換など。

Vetek Semiconductorは、顧客のニーズを満たすために、より高い結晶品質と加工品質を追求し続けています。現在、6インチと8インチの両方の製品が利用可能です。以下は、6インチおよび8インチSIC基質の基本的な製品パラメーターです。

6 インチ N 型 SiC 基板基本製品仕様:

8 インチ N 型 SiC 基板基本製品仕様:

4H N 型 SiC 基板の検出方法と用語: