シリコンエピタキシー

シリコンエピタキシー、エピ、エピタキシー、エピタキシャルとは、単一結晶シリコン基板上の同じ結晶方向と異なる結晶の厚さを持つ結晶の層の成長を指します。半導体に含まれる不純物にはN型とP型が含まれるため、半導体離散成分と統合回路の製造にはエピタキシャル成長技術が必要です。さまざまなタイプの組み合わせにより、半導体デバイスはさまざまな機能を示します。

シリコンエピタキシー成長法は、気相エピタキシー、液相エピタキシー（LPE）、固相エピタキシー、化学蒸気沈着成長法に分けて、格子の完全性を満たすために世界で広く使用されています。

典型的なシリコンエピタキシャル装置は、イタリアの会社LPEに代表されています。このLPEには、パンケーキエピタキシャルヒプロスTOR、バレルタイプHy pnotic TOR、半導体Hy pnotic、ウェーハキャリアなどがあります。バレル型のエピタキシャルHyペレクター反応チャンバーの概略図は次のとおりです。 Vetek半導体は、バレル型のウェーハエピタキシャルHYペレクターを提供できます。 SICコーティングされたHyペルクターの品質は非常に成熟しています。 SGLに相当する品質。同時に、Vetek半導体は、シリコンエピタキシャル反応キャビティノズル、クォーツバッフル、ベルジャー、その他の完全な製品を提供することもできます。

シリコンエピタキシーの垂直エピタキシャル受容器：

Schematic diagram of Vertical Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy

Vetek半導体の主要な垂直エピタキシャル受容器産物

EPIのSICコーティンググラファイトバレル受容器 SICコーティングバレル受容器 CVD SICコーティングバレル受容器 EPIサポーターが設定されている場合、LPE

シリコンエピタキシーの水平方向のエピタキシャルセプター：

Schematic diagram of Horizontal Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy

Vetek半導体の主要な水平エピタキシャル受容者産物

SICコーティング単結晶シリコンエピタキシャルトレイ LPE PE2061SのSICコーティングサポートグラファイト回転サポート

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CVD SICコーティングバッフル

VetekのCVD SICコーティングバッフルは、主にSiエピタキシーで使用されています。通常、シリコンエクステンションバレルで使用されます。 CVD SICコーティングバッフルのユニークな高温と安定性を組み合わせて、半導体製造における気流の均一な分布を大幅に改善します。当社の製品は、高度なテクノロジーと高品質の製品ソリューションを提供できると考えています。

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SICコーティングバレル受容器

エピタキシーは、既存のチップ上で新しい結晶を栽培して新しい半導体層を作成するために半導体デバイス製造で使用される技術です。VetekSemiconductorは、LPEシリコンエピタキシー反応チャンバーの包括的なコンポーネントソリューションを提供し、長寿命、安定した品質、および改善されたエピタキシアルを提供します。層の収量。 SICコーティングバレル受容器などの当社の製品は、顧客からポジションフィードバックを受け取りました。また、SI EPI、SIC EPI、MOCVD、UV主導のエピタキシーなどの技術サポートも提供しています。価格情報についてお問い合わせください。

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EPIレシーバーの場合

中国のトップ工場であるVetek Semiconductorは、精密機械加工と半導体SiCおよびTaCコーティング能力を兼ね備えています。バレル型Siエピサセプタは温度・雰囲気制御機能を備え、半導体エピタキシャル成長プロセスの生産効率を向上させます。貴社との協力関係を確立することを楽しみにしています。

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したがって、コーティングされたエピ科学

炭化ケイ素および炭化タンタルコーティングの国内トップメーカーとして、VeTek Semiconductor は、SiC コーティングされたエピサセプターの精密機械加工と均一なコーティングを提供し、コーティングと製品の純度を 5ppm 以下に効果的に制御することができます。製品寿命はSGLと同等です。お問い合わせお待ちしております。

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LPE SI EPI 受容体セット

フラット受容器とバレル受容器はEPI容疑者の主な形状です。Vetek半導体は、中国の主要なLPE SI EPI SIPI SICTEPTOR SETメーカーおよびイノベーターです。長年にわたってSICコーティングとTACコーティングに特化しています。 LPE PE2061S 4 "ウェーハ用に特別に設計されたセット。グラファイト材料とSICコーティングのマッチング度は良好で、均一性は優れており、寿命は長く、LPE中のエピタキシャル層の成長を改善できます（液相エピタキシー）プロセス。中国の工場を訪問することを歓迎します。

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EPIのSICコーティンググラファイトバレル受容器

バレルタイプのエピタキシャルウェーハ加熱ベースは、複雑な加工技術を備えた製品であり、機器と能力を加工するのに非常に困難です。 Vetek Semiconductorは、EPIのSICコーティングされたグラファイトバレル受容器の処理における高度な機器と豊富な経験を持っています。元の工場寿命と同じ、より費用対効果の高いエピタキシャルバレルを提供できます。

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Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.

Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).

Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.

Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.

Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.

中国の専門家シリコンエピタキシーメーカーおよびサプライヤーとして、私たちは独自の工場を持っています。あなたの地域の特定のニーズを満たすためにカスタマイズされたサービスが必要であるか、中国製の高度で耐久性のあるシリコンエピタキシーを購入したい場合でも、メッセージを残すことができます。