シリコンエピタキシー

シリコンエピタキシー、エピ、エピタキシー、エピタキシャルとは、単一結晶シリコン基板上の同じ結晶方向と異なる結晶の厚さを持つ結晶の層の成長を指します。半導体に含まれる不純物にはN型とP型が含まれるため、半導体離散成分と統合回路の製造にはエピタキシャル成長技術が必要です。さまざまなタイプの組み合わせにより、半導体デバイスはさまざまな機能を示します。

シリコンエピタキシー成長法は、気相エピタキシー、液相エピタキシー（LPE）、固相エピタキシー、化学蒸気沈着成長法に分けて、格子の完全性を満たすために世界で広く使用されています。

典型的なシリコンエピタキシャル装置は、イタリアの会社LPEに代表されています。このLPEには、パンケーキエピタキシャルヒプロスTOR、バレルタイプHy pnotic TOR、半導体Hy pnotic、ウェーハキャリアなどがあります。バレル型のエピタキシャルHyペレクター反応チャンバーの概略図は次のとおりです。 Vetek半導体は、バレル型のウェーハエピタキシャルHYペレクターを提供できます。 SICコーティングされたHyペルクターの品質は非常に成熟しています。 SGLに相当する品質。同時に、Vetek半導体は、シリコンエピタキシャル反応キャビティノズル、クォーツバッフル、ベルジャー、その他の完全な製品を提供することもできます。

シリコンエピタキシーの垂直エピタキシャル受容器：

Schematic diagram of Vertical Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy

Vetek半導体の主要な垂直エピタキシャル受容器産物

EPIのSICコーティンググラファイトバレル受容器 SICコーティングバレル受容器 CVD SICコーティングバレル受容器 EPIサポーターが設定されている場合、LPE

シリコンエピタキシーの水平方向のエピタキシャルセプター：

Schematic diagram of Horizontal Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy

Vetek半導体の主要な水平エピタキシャル受容者産物

SICコーティング単結晶シリコンエピタキシャルトレイ LPE PE2061SのSICコーティングサポートグラファイト回転サポート

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LPE PE2061SのSICコーティングバレル受容器

中国の主要なウェーハ容量容疑者製造工場の1つとして、Vetek半導体はウェーハ容疑者製品で継続的な進歩を遂げており、多くのエピタキシャルウェーハメーカーにとって最初の選択肢となっています。 VETEK半導体が提供するLPE PE2061SのSICコーティングバレル受容器は、LPE PE2061S 4 ''ウェーハ向けに設計されています。受容器には、LPE（液相エピタキシー）プロセス中の性能と耐久性が向上する耐久性のある炭化シリコンコーティングがあります。お問い合わせをお願いします。長期的なパートナーになることを楽しみにしています。

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Veteksemicon silicon epitaxy solutions are your strategic procurement choice for advanced semiconductor wafer processing, particularly in CMOS, power devices, and MEMS applications. As a key process in wafer engineering, silicon epitaxy (Si Epi) involves the precise deposition of a crystalline silicon layer on top of a polished silicon wafer, offering superior control of doping profiles, defect density, and layer thickness.

Veteksemicon provides epitaxy-ready susceptor parts and reactor components used in Epi CVD systems, supporting both atmospheric and reduced pressure processes. Our product lineup includes silicon epitaxy susceptors, carrier rings, and coated wafer holders, optimized for compatibility with tools from Applied Materials, ASM, and Tokyo Electron (TEL).

Silicon epitaxy plays a critical role in producing ultra-thin junctions, strained silicon layers, and high-voltage isolation structures. Our materials and parts are engineered for high-purity, uniform thermal distribution, and anti-contamination performance during n-type and p-type epitaxial growth.

Closely associated terms include epitaxial wafer, in-situ doping, epitaxy-ready SiC coatings, and epi reactor parts, which support the entire upstream and downstream process of silicon-based IC fabrication.

Discover more about Veteksemicon’s silicon epitaxy support solutions by visiting our product detail page or contacting us for technical consultation and part customization.

中国の専門家シリコンエピタキシーメーカーおよびサプライヤーとして、私たちは独自の工場を持っています。あなたの地域の特定のニーズを満たすためにカスタマイズされたサービスが必要であるか、中国製の高度で耐久性のあるシリコンエピタキシーを購入したい場合でも、メッセージを残すことができます。