拡散炉用石英炉管

1. 主な特徴と利点

• 金属不純物が ppb レベルで管理され、ヒドロキシル含有量が極めて低い超高純度の脱ヒドロキシル化溶融石英 (SiO₂ ≥ 99.999%)

• 最大 1100 °C の長期動作温度。 1200 °Cまでの短期ピーク耐性

• 完全応力除去焼鈍後の優れた耐熱衝撃性 - 急激な温度変化下でも割れにくい

• 酸化性、還元性、およびハロゲンを含むプロセスガスに対する優れた化学的不活性。プラズマおよび腐食性雰囲気に適しています

• 非常に低い真空ガス放出。滑らかな内壁により副生成物の蓄積が最小限に抑えられ、プロセスの再現性がサポートされます。

• 均一な肉厚、高い同軸度、精密に仕上げられた端部を備えた一体成形により、確実なシールを実現

• カスタマイズ可能な構造: 直管、減速管、フランジ付き管、延長長さ、および縦型または横型炉用の特殊な端部構成

2. 代表的な用途

VeTek 石英炉管は、以下の分野でコア反応チャンバーとして広く使用されています。

・熱酸化炉（乾式酸化・湿式酸化）

・ドーパント導入用拡散炉（B、P、As等）

• 薄膜堆積用の LPCVD システム

• 真空アニールおよびその他の高温熱処理プロセス

• 4 インチ、6 インチ、8 インチ、12 インチのウェハ プラットフォーム (Si、SiC、GaN、サファイア基板) と互換性があります。

これらは、安定した温度均一性、ガス流量制御、超クリーンなプロセス環境を必要とするロジック、メモリ、パワーデバイス、MCU、LED、MEMS、およびワイドバンドギャップ半導体製造ラインをサポートします。

3. 主要な技術的パラメータ

• 材質: 半導体グレードの脱ヒドロキシル化溶融石英 (SiO₂ ≥ 99.999%)、低水酸基、低金属不純物

• ウェーハ互換性: 4 / 6 / 8 / 12 インチ

• 長期使用温度: -20 °C ～ 1100 °C。最大 1200 °C の短期ピーク

• プロセス: 一体型熱成形、壁の均質化、端部仕上げ、応力除去アニーリング、ヘリウムリークテスト、超クリーン洗浄

• 利用可能な構造: ストレートチューブ、レデューサーチューブ、フランジ付きチューブ、延長/カスタム長チューブ、特別なエンド構成

• カスタマイズ: 内径/外径、長さ、肉厚、フランジ仕様、および顧客の図面に基づく特殊な形状

4. VeTek 石英炉管を選ぶ理由?

半導体石英コンポーネントの専門メーカーとして、VeTek Semiconductor は以下を提供します。

• 酸化、拡散、LPCVD、アニーリング装置用に設計された高純度石英炉管

・クラス10/クラス100のクリーンルーム生産に適した厳格な純度管理、寸法精度、クリーン度

• 縦型および横型管状炉の完全なカスタマイズと OEM 互換設計

• ウェハボート、るつぼ、ライナー、その他のプロセスコンポーネントを含む補完的な半導体石英製品

当社の石英炉管は、安定した熱およびガス流状態を維持し、粒子や金属の汚染を最小限に抑え、連続的な高温サイクル下での耐用年数を延長するのに役立ち、半導体熱処理における歩留まりの向上と所有コストの削減をサポートします。