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エッチング用のフォーカスリング
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エッチング用のフォーカスリング

エッチング用のフォーカスリングは、プロセスの精度と安定性を確保するための重要なコンポーネントです。これらの成分は、プラズマ分布、エッジ温度、電界の均一性の正確な制御を通じて、ウェーハ表面のナノスケール構造の均一な機械加工を実現するために、真空チャンバーに正確に組み立てられています。

単結晶シリコンエッチングリングは、プラズマ環境の安定性を維持し、機器とウェーハを保護し、リソースの利用を最適化し、高度なプロセス要件に適応することにより、半導体エッチングプロセスに不可欠なコンポーネントです。そのパフォーマンスは、チップ製造の収量とコストに直接影響します。


エッチングされたフォーカスリング、電極など(エッジ温度コントローラー)は、プラズマの均一性、温度制御、プロセスの再現性を確保するためのコア消耗品です。これらのコンポーネントは、CVD、エッチング、フィルム機器の真空チャンバーに正確に組み立てられ、ウェーハのエッジから中央へのエッチングの精度と収量を直接決定します。


ハイエンドの製造プロセスにおける材料特性に対する厳しい需要に応じて、Veteksemiは、10-20Ω・cmの抵抗率を持つ高純度の単結晶シリコンを使用して、焦点を合わせたリングとサポートする消費物を製造することにより革新します。 Veteksemiは、材料科学、電気設計、熱力学の共同最適化を通じて、フォーカスリングとサポート消耗品を製造することができます。従来のクォーツソリューションを包括的に超えて、寿命、精度、費用対効果の画期的な改善を達成します。


Focus ring for etching diagram


コア材料の比較と抵抗性の最適化

単結晶シリコンVs.石英


プロジェクト
単結晶シリコンフォーカシングリング
クォーツフォーカスリング
血漿腐食に対する耐性
Life 5000-8000ウェーハ(フッ素/塩素ベースのプロセス)
寿命1500-2000ウェーハ
熱伝導率
149 w/m・k(急速な熱放散、ΔT変動±2℃)
1.4W /M・K(ΔT変動±10℃)
熱膨張係数
2.6×10⁻⁶/k(ウェーハマッチング、ゼロ変形)
0.55×10⁻⁶/k(簡単な変位)
誘電損失
tanδ<0.001(正確な電界制御)
tanΔ〜0.0001(電界の歪み)
表面の粗さ
RA <0.1μm(クラス10清浄度標準)
RA <0.5μm(粒子リスクの高い)


製品コアアドバンタグe


1。原子レベルのプロセス精度

抵抗率の最適化 +超高精度研磨(RA <0.1μm)は、マイクロ排出と粒子の汚染を排除して、半F47基準を満たします。

誘電損失(TanΔ<0.001)は、ウェーハ誘電環境と高度に一致し、エッジの電界の歪みを避け、3D NAND 89.5°±0.3°垂直深い穴エッチングをサポートします。


2。インテリジェントなシステム互換性

Edge Edge温度制御モジュールと統合された冷却空気の流れは、熱電対とAIアルゴリズムによって動的に調整され、チャンバーサーマルドリフトを補正します。

AMAT Centura、Lam Research Kiyo、ICP/CCPプラズマソースなどの主流のマシンに適したカスタマイズされたRFマッチングネットワークをサポートします。


3。包括的な費用対効果

単結晶シリコンの寿命はクォーツの寿命よりも275%長く、メンテナンスサイクルは3,000時間以上、包括的な所有コスト(TCO)は30%削減されます。

抵抗性勾配カスタマイズサービス(5-100Ω・cm)、顧客プロセスウィンドウ(GAN/SIC Wide Band Gap Materipingなど)に正確に一致します。


抵抗率の影響


プロジェクト
単結晶シリコンフォーカシングリング
高耐性単結晶シリコン>50Ω・cm)
クォーツフォーカスリング
純度
> 99.9999%
> 99.9999%
> 99.99%
腐食寿命(ウェーハカウント)
5000-8000
3000-5000
1500-2000
熱ショック安定性
ΔT> 500℃/s
ΔT> 300℃/s
ΔT<200℃/s
漏れ電流密度
<1μA/cm²
/ /
ウェーハの収量は増加します
+1.2%〜1.8%
+0.3%〜0.7%
基本値

製品商業用語


最小注文数量
1セット
価格
カスタマイズされた引用についてはお問い合わせください
パッケージングの詳細
標準エクスポートパッケージ
納期
配送時間:注文確認後30〜35日
支払い条件
T/T
供給能力
600セット/月


Focus ring for etching working diagram

ホットタグ: エッチング用のフォーカスリング
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